[发明专利]一种基于低温等离子体检测设备绝缘缺陷的系统及方法在审
申请号: | 202010953904.1 | 申请日: | 2020-09-11 |
公开(公告)号: | CN112255509A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 冯彦君;王尚民;胡向晖;邢川;杨凯飞;王睿;武长青 | 申请(专利权)人: | 中国空间技术研究院 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12;G01R31/52;G01R31/08;H05H1/24 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 王永芳 |
地址: | 100194 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 低温 等离子体 检测 设备 绝缘 缺陷 系统 方法 | ||
本申请公开了一种基于低温等离子体检测设备绝缘缺陷的系统及方法,该系统包括:等离子体炬发生装置以及绝缘缺陷检测装置;其中,所述等离子体炬发生装置,用于根据预设的最高等离子体档位生成第一低温等离子体,并将所述第一低温等离子体喷射到待检测设备上,其中,等离子体档位用于表征生成的低温等离子的密度或活性;所述绝缘缺陷检测装置,用于在喷射所述第一低温等离子体的待检测设备上遍历扫描,检测出所述待检测设备存在的绝缘缺陷。本申请解决了现有技术中对设备绝缘缺陷检测的可靠性较差的技术问题。
技术领域
本申请涉及设备绝缘缺陷检测技术领域,尤其涉及一种基于低温等离子体检测设备绝缘缺陷的系统及方法。
背景技术
绝缘缺陷是电子产品存在的一个常见的故障模式,绝缘缺陷轻则造成功能降级,重则造成灾难性事故。因此,检测绝缘缺陷的存在、定位缺陷位置以及量化评估缺陷程度对于电子产品故障检测具有重要的意义。
目前,常见出绝缘缺陷检测方法过程为:在被检测设备上施加电激励信号,例如,电激励信号包括直流信号或脉冲信号,然后通过观察漏电信号(电流或波形)来确定绝缘缺陷。在确定绝缘缺陷的过程中,常采用加大电激励信号或放大缺陷这两种措施来激励故障的发生,进而实现放大缺陷的目的,例如,加大电激励信号包括提高电压;放大缺陷包括将被测电缆浸泡在盐水中来检测绝缘缺陷,或将被测件置于低气压环境等方法;进一步,为了灵敏辨识故障信号,常采用声光电综合手段检测微小的故障信号,例如,微小的故障信号包括漏电信号或局部放电信号等。但是,通过放大缺陷来激励故障的发生时,将被测件浸泡在导电介质中存在导电介质难于完全清除,残留的导电介质带来新的绝缘隐患;而将被测件置于低气压环境中存在抽真空低气压的成本高,且真空低气压下难以进行详尽的测试的问题,因此,现有技术中对设备绝缘缺陷检测的可靠性较差。
发明内容
本申请解决的技术问题是:针对现有技术中对设备绝缘缺陷检测的可靠性较差问题,提供了一种基于低温等离子体检测设备绝缘缺陷的系统及方法,本申请实施例所提供的方案中,通过低温等离子体来放大绝缘缺陷,避免当待检测设备没有绝缘缺陷时,即使低气压和导电介质的存在,也不会出现漏电、局放等绝缘缺陷问题。而当待检测设备存在绝缘缺陷时,由于低气压和导电介质的存在,在同样激励电压条件下,缺陷更容易暴露出来,从而提高了对设备绝缘缺陷检测的可靠性。
第一方面,本申请实施例提供一种基于低温等离子体检测设备绝缘缺陷的系统,该系统包括:等离子体炬发生装置以及绝缘缺陷检测装置;其中,
所述等离子体炬发生装置,用于根据预设的最高等离子体档位生成第一低温等离子体,并将所述第一低温等离子体喷射到待检测设备上,其中,等离子体档位用于表征生成的低温等离子的密度或活性;
所述绝缘缺陷检测装置,用于在喷射所述第一低温等离子体的待检测设备上遍历扫描,检测出所述待检测设备存在的绝缘缺陷。
可选地,若检测到所述待检测设备存在任一绝缘缺陷时,所述等离子体炬发生装置,还用于:
从所述最高等离子体档位开始依次向低等离子体档位逐档切换,直到切换到激发出所述任一绝缘缺陷的最低等离子体档位为止,并根据所述最低等离子体档位生成第二低温等离子体。
可选地,还包括:标定装置;所述标定装置,包括多个基本单元,所述每个基本单元包括一对针状电极对以及漏电检测电路,不同所述基本单元中针状电极对之间的距离不同;其中,
所述针状电极对,用于当将所述第二低温等离子体喷射到所述标定装置上时,与所述第二低温等离子体形成等离子桥;
所述漏电检测电路,用于检测所述等离子桥是否发生短路故障,以使以使得用户根据所述等离子桥的短路故障情况确定出存在短路故障时,所述针状电极对之间的最短距离。
可选地,所述绝缘缺陷检测装置,具体用于:
检测所述待检测设备上是否存在的绝缘缺陷;
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