[发明专利]一种基于低温等离子体检测设备绝缘缺陷的系统及方法在审
| 申请号: | 202010953904.1 | 申请日: | 2020-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN112255509A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
| 发明(设计)人: | 冯彦君;王尚民;胡向晖;邢川;杨凯飞;王睿;武长青 | 申请(专利权)人: | 中国空间技术研究院 |
| 主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12;G01R31/52;G01R31/08;H05H1/24 |
| 代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 王永芳 |
| 地址: | 100194 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 低温 等离子体 检测 设备 绝缘 缺陷 系统 方法 | ||
1.一种基于低温等离子体检测设备绝缘缺陷的系统,其特征在于,包括:等离子体炬发生装置以及绝缘缺陷检测装置;其中,
所述等离子体炬发生装置,用于根据预设的最高等离子体档位生成第一低温等离子体,并将所述第一低温等离子体喷射到待检测设备上,其中,等离子体档位用于表征生成的低温等离子的密度或活性;
所述绝缘缺陷检测装置,用于在喷射所述第一低温等离子体的待检测设备上遍历扫描,检测出所述待检测设备是否存在的绝缘缺陷。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,若检测到所述待检测设备存在任一绝缘缺陷时,所述等离子体炬发生装置,还用于:
从所述最高等离子体档位开始依次向低等离子体档位逐档切换,直到切换到激发出所述任一绝缘缺陷的最低等离子体档位为止,并根据所述最低等离子体档位生成第二低温等离子体。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,还包括:标定装置;所述标定装置,包括多个基本单元,所述每个基本单元包括一对针状电极对以及漏电检测电路,不同所述基本单元中针状电极对之间的距离不同;其中,
所述针状电极对,用于当将所述第二低温等离子体喷射到所述标定装置上时,与所述第二低温等离子体形成等离子桥;
所述漏电检测电路,用于检测所述等离子桥是否发生短路故障,以使得用户根据所述等离子桥的短路故障情况确定出存在短路故障时,所述针状电极对之间的最短距离。
4.如权利要求1~3任一项所述的装置,其特征在于,所述绝缘缺陷检测装置,具体用于:
检测所述待检测设备上是否存在的绝缘缺陷;
若存在,则确定所述绝缘缺陷的位置信息。
5.如权利要求1~3任一项所述的装置,其特征在于,在每一所述针状电极对上包裹设置绝缘层。
6.一种基于低温等离子体检测设备绝缘缺陷的方法,应用于如权利要求1~5任一项所述的装置,其特征在于,包括:
通过等离子体炬发生装置预设的最高等离子档位向待检测设备喷射第一低温等离子体,其中,等离子体档位用于表征生成的低温等离子的密度或活性;
通过绝缘缺陷检测装置在喷射所述第一低温等离子体的待检测设备上遍历扫描,检测出所述待检测设备存在的绝缘缺陷。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,还包括:
若检测到所述待检测设备存在任一绝缘缺陷时,控制等离子体炬发生装置从所述最高等离子体档位开始依次向低等离子体档位逐档切换,直到切换到激发出所述任一绝缘缺陷的最低等离子体档位为止,并根据所述最低等离子体档位生成第二低温等离子体。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,还包括:
将所述第二低温等离子体喷射到标定装置上,通过所述标定装置中多个不同间距的针状电极对与所述第二低温等离子体形成等离子桥;
通过所述标定装置中每个所述针状电极对对应的漏电检测电路检测所述等离子桥是否发生短路故障,以使得用户根据所述等离子桥的短路故障情况确定出存在短路故障时,所述针状电极对之间的最短距离。
9.如权利要求6~8任一项所述的方法,其特征在于,通过绝缘缺陷检测装置在喷射所述第一低温等离子体的待检测设备上遍历扫描,检测出所述待检测设备存在的绝缘缺陷,包括:
通过所述绝缘缺陷检测装置检测所述待检测设备上是否存在的绝缘缺陷;
若存在,则通过绝缘缺陷检测装置确定所述绝缘缺陷的位置信息。
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