[发明专利]加热装置及具有其的MOCVD设备

说明书

本发明提供一种加热装置及具有其的MOCVD设备，加热装置适用于MOCVD设备，其外轮廓大致呈圆形，并沿其周向分为偶数个扇形区；每个扇形区内分为依次交替排布的多个加热区和多个空置区，所述加热装置内设有加热元件，所述加热元件至少覆盖部分所述加热区；于相邻的两个扇形区内，一扇形区内的加热区与另一扇形区内的空置区在分布位置上呈镜像对称关系。分别位于相邻两个扇形区内的加热元件在分部位置上呈互补的关系，从而能使加热元件在加热时产生一个互补的温场。由于基片承载盘在工作时，通常处于高速旋转的状态，能够在不同温场中循环受热，从而使其整体温度更加均匀，并最终使其上的基片受热更加均匀。

技术领域

本发明涉及气相沉积设备领域，具体地涉及一种加热装置及具有其的MOCVD设备。

背景技术

MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉积)是在气相外延生长(Vapour Phase Epitaxy，VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是制备化合物半导体外延材料的核心设备，以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在基片上进行气相外延，主要用于生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料，涵盖了所有常见半导体，有着非常广阔的市场前景。

MOCVD设备的加热装置为了保证较高的加热温度，通常由多圈弯折环形分布的加热丝组成。然而，现有的加热装置通常为左右对称的结构，存在加热丝分布的间隙，间隙区域无加热丝发热，导致该处温度相对偏低，致使MOCVD设备内的温场分布不均匀，从而影响半导体外延层的生长质量。

发明内容

本发明的目的在于提供一种加热装置及具有其的MOCVD设备。

本发明提供一种加热装置，适用于MOCVD设备，所述加热装置外轮廓大致呈圆形，并沿其周向分为偶数个扇形区；

每个所述扇形区内分为依次交替排布的多个加热区和多个空置区，所述加热装置内设有加热元件，所述加热元件至少覆盖部分所述加热区；

于相邻的两个所述扇形区内，一所述扇形区内的所述加热区与另一所述扇形区内的所述空置区在分布位置上呈镜像对称关系。

作为本发明的进一步改进，每个所述扇形区的圆心角角度相等。

作为本发明的进一步改进，所述加热装置沿其一中轴线分为对称分布的第一扇形区和第二扇形区，所述第一扇形区内分为依次交替排布的多个第一加热区和多个第一空置区，所述第二扇形区内分为依次交替排布的多个第二加热区和多个第二空置区。

作为本发明的进一步改进，所述第一加热区和所述第一空置区的分界线为以所述加热装置中心为圆心的多个同心半圆；所述第二加热区和所述第二空置区的分界线为以所述加热装置中心为圆心的多个同心半圆。

作为本发明的进一步改进，所述第一加热区和所述第一空置区的分界线垂直于所述中轴线；所述第二加热区和所述第二空置区的分界线垂直于所述中轴线。

作为本发明的进一步改进，所述第一加热区和所述第一空置区的分界线平行于所述中轴线；所述第二加热区和所述第二空置区的分界线平行于所述中轴线。

作为本发明的进一步改进，所述加热元件为连续弯折分布于所述加热区内的电阻丝或电阻片，至少于一个所述扇形区内，所述电阻丝或所述电阻片至少包括单位长度电阻不同的两部分。

作为本发明的进一步改进，所述电阻丝或所述电阻片沿所述加热装置半径方向由内向外单位长度电阻逐渐升高。

作为本发明的进一步改进，位于所述加热装置半径方向由内向外一固定位置处的部分所述电阻丝或所述电阻片的单位长度电阻低于其他区域所述电阻丝或所述电阻片的电阻。