[发明专利]加热装置及具有其的MOCVD设备在审
| 申请号: | 202010953754.4 | 申请日: | 2020-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN114164415A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46 |
| 代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈晓敏 |
| 地址: | 223800 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 加热 装置 具有 mocvd 设备 | ||
1.一种加热装置,适用于MOCVD设备,所述加热装置外轮廓大致呈圆形,其特征在于,
所述加热装置沿其周向分为偶数个扇形区;
每个所述扇形区内分为依次交替排布的多个加热区和多个空置区,所述加热装置内设有加热元件,所述加热元件至少覆盖部分所述加热区;
于相邻的两个所述扇形区内,一所述扇形区内的所述加热区与另一所述扇形区内的所述空置区在分布位置上呈镜像对称关系。
2.根据权利要求1所述的加热装置,其特征在于,每个所述扇形区的圆心角角度相等。
3.根据权利要求2所述的加热装置,其特征在于,所述加热装置沿其一中轴线分为对称分布的第一扇形区和第二扇形区,所述第一扇形区内分为依次交替排布的多个第一加热区和多个第一空置区,所述第二扇形区内分为依次交替排布的多个第二加热区和多个第二空置区。
4.根据权利要求3所述的加热装置,其特征在于,所述第一加热区和所述第一空置区的分界线为以所述加热装置中心为圆心的多个同心半圆;所述第二加热区和所述第二空置区的分界线为以所述加热装置中心为圆心的多个同心半圆。
5.根据权利要求3所述的加热装置,其特征在于,所述第一加热区和所述第一空置区的分界线垂直于所述中轴线;所述第二加热区和所述第二空置区的分界线垂直于所述中轴线。
6.根据权利要求3所述的加热装置,其特征在于,所述第一加热区和所述第一空置区的分界线平行于所述中轴线;所述第二加热区和所述第二空置区的分界线平行于所述中轴线。
7.根据权利要求1所述的加热装置,其特征在于,所述加热元件为连续弯折分布于所述加热区内的电阻丝或电阻片,至少于一个所述扇形区内,所述电阻丝或所述电阻片至少包括单位长度电阻不同的两部分。
8.根据权利要求7所述的加热装置,其特征在于,所述电阻丝或所述电阻片沿所述加热装置半径方向由内向外单位长度电阻逐渐升高。
9.根据权利要求7所述的加热装置,其特征在于,位于所述加热装置半径方向由内向外一固定位置处的部分所述电阻丝或所述电阻片的单位长度电阻低于其他区域所述电阻丝或所述电阻片的电阻。
10.一种MOCVD设备,包括:反应室、位于所述反应室内的基片承载盘和位于基片承载盘下方的加热装置、及源供给系统,其特征在于,所述加热装置为权利要求1-9中任一项所述的加热装置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





