[发明专利]一种QLED及其制作和提高其出光率的方法

权利要求书

1.一种提高QLED出光率的方法，所述QLED具有作为出射光窗口的透明基体，其特征在于，所述方法包括：在所述透明基体的外表面制作衍射结构，所述衍射结构由纳米柱阵列构成。

2.一种QLED，所述QLED具有作为出射光窗口的透明基体，其特征在于，在所述透明基体的外表面形成具有由纳米柱阵列构成的衍射结构。

3.根据权利要求2所述的QLED，其特征在于，所述纳米柱阵列的材料为固体氧化物；

可选地，所述氧化物包括氧化锌、二氧化硅或三氧化二铝。

4.根据权利要求2或3所述的QLED，其特征在于，所述纳米柱的半径为100nm至200nm、高度为200nm至400nm且各个纳米柱之间的间距为400nm至800nm。

5.根据权利要求4所述的QLED，其特征在于，所述间距是相邻的两个纳米柱的轴线之间的直线距离。

6.一种如权利要求2至5中任意一项所述的QLED的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供构成量子点发光二极管的透明基体的载体材料；

在所述载体的表面制作由纳米柱阵列构成的衍射结构；

在载体背离所述衍射结构的表面制作量子点发光二极管的功能层。

7.根据权利要求6所述的QLED的制作方法，其特征在于，所述衍射结构通过模板法制作获得。

8.根据权利要求7所述的QLED的制作方法，其特征在于，所述模板法包括：

提供具有用以形成所述衍射结构的图版的模板；

转移所述纳米柱的制作材料至所述外表面，形成覆盖在所述外表面的覆盖层；

将所述模板的图样转移至所述覆盖层。

9.根据权利要求8所述的QLED的制作方法，其特征在于，所述纳米柱的制作材料为氧化物胶体，并通过涂敷的方式被转移至所述外表面；

将所述模板的图版转移至所述覆盖层的方法包括：压印所述模板的图版于所述覆盖层，加热使所述氧化物胶体形成纳米柱阵列，移除所述模板。

10.根据权利要求9所述的QLED的制作方法，其特征在于，将所述模板的图版转移至所述覆盖层的方法还包括：在移除所述模板之后，对所述纳米柱阵列进行热处理。