[发明专利]晶片清洗装置及晶片清洗方法

说明书

本发明提供一种晶片清洗装置及晶片清洗方法，其中，晶片清洗装置包括：支架、清洁刷、第一驱动件和清洗槽；所述支架用于支撑所述晶片；所述清洁刷用于对所述待清洗表面进行清洗；所述清洗槽内装有清洗液，至少部分晶片位于所述清洗液内；所述第一驱动件与所述晶片连接，所述第一驱动件用于驱动所述晶片绕第一方向旋转，所述第一方向垂直于所述待清洗表面。本发明提高的晶片清洗装置的清洗效果好，清洗效率高。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶片清洗装置及晶片清洗方法。

背景技术

化学机械抛光(chemical mechanical polishing，简称CMP)技术是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，其借助超微粒子(例如二氧化硅粒子，氧化铝粒子)的研磨作用以及化学溶液的腐蚀作用在研磨的晶片表面上形成光洁平坦平面。在CMP工艺之后，超微粒子会附着在被抛光晶片上，成为污染物粒子，必须从晶片表面完全去除以保持电子器件的可靠性和生产线的清洁度。

现有去除污染物粒子的方法通常是对经过CMP工艺后的晶片持续喷射清洗液，以去除晶片表面的污染物粒子。但是该方法虽然能够有效的去除晶片表面的污染物粒子，但是该方法效率比较低，需要长时间对晶片进行喷射。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供的晶片清洗装置及晶片清洗方法，通过设置清洁刷和清洗槽，能够同时对待清洗表面进行清洗，不但提高了清洗效果，同时还提高了清洗效率，缩短了清洗的时间。

第一方面，本发明提供一种晶片清洗装置，包括：支架、清洁刷、第一驱动件和清洗槽；

所述支架用于支撑所述晶片；

所述清洁刷用于对所述待清洗表面进行清洗；

所述清洗槽内装有清洗液，至少部分晶片位于所述清洗液内；

所述第一驱动件与所述晶片连接，所述第一驱动件用于驱动所述晶片绕第一方向旋转，所述第一方向垂直于所述待清洗表面。

可选地，所述晶片清洗装置还包括：第二驱动件；

所述第二驱动件与所述清洁刷连接，所述第二驱动件用于驱动所述清洁刷沿第二方向旋转，所述第二方向与所述待清洁表面平行。

可选地，所述清洁刷包括：刷体和固定设置在所述刷体表面的刷毛；

所述刷体的形状为圆柱型，且所述刷体的中心轴与所述第二方向平行。

可选地，所述刷毛固定设置在所述刷体周侧的表面。

可选地，所述清洁刷的数量至少为两个，且至少两个清洁刷分别位于所述晶片的两侧。

可选地，每个清洁刷分别与对应的第二驱动件连接；

所述第二驱动件分驱动晶片两侧的清洁刷朝相反的方向旋转。

可选地，所述清洗液为弱酸溶液或弱碱溶液。

可选地，所述晶片清洗装置还包括：第三驱动件；

所述第三驱动件与所述支架或所述清洁刷连接；

所述第三驱动件用于调整所述晶片相对所述清洁刷的位置，以使所述晶片相对所述清洁刷沿第三方向移动，所述第三方向与所述第二方向在同一平面内，且所述第三方向与所述第二方向相交。

第二方面，本发明提供一种晶片清洗方法，包括：

将待清洗的晶片安装在如上所述晶片清洗装置的支架上；

启动所述第一驱动件，以带动所述晶片旋转，使所述待清洗表面经清洗液和清洁刷进行清洗。

可选地，所述方法还包括：