[发明专利]一种元件嵌入式封装方法及集成电路构件

权利要求书

1.一种元件嵌入式封装方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

在芯板上开设至少一个与元件尺寸相适应的通槽；

在芯板下表面覆盖定位层，将元件从芯板上表面置于通槽中并与定位层连接；

使用第一填充层对通槽上开口进行填充，使用第二填充层对芯板上表面进行填充；

去掉芯板下表面的定位层；

使用第三填充层对通槽下开口进行填充，使用第四填充层对芯板下表面进行填充；

在第二填充层和第四填充层的外侧分别设置介电层和介电层导电线路；

钻孔，以连通元件导电线路与介电层导电线路；

对钻孔的内表面进行导电处理，使元件导电线路与介电层导电线路电连接。

2.根据权利要求1所述的元件嵌入式封装方法，其特征在于：所述第一填充层、第二填充层、第三填充层和第四填充层均为热熔胶，使用预热的非流动第一填充层覆盖通槽，再使用预热的非流动第二填充层覆盖整个芯板，最后对第一填充层和第二填充层进行热压，热熔胶受热流动，填充通槽与元件之间的上部缝隙以及芯板上表面；使用预热的非流动第三填充层覆盖通槽，再使用预热的非流动第四填充层覆盖整个芯板，最后对第三填充层和第四填充层进行热压，热熔胶受热流动，填充通槽与元件之间的下部缝隙以及芯板下表面。

3.根据权利要求1所述的元件嵌入式封装方法，其特征在于：所述第一填充层、所述第三填充层均与所述通槽尺寸相适应，所述第一填充层完全覆盖所述通槽上开口但小于芯板的上表面；第三填充层完全覆盖通槽下开口但小于芯板的下表面。

4.根据权利要求1所述的元件嵌入式封装方法，其特征在于：钻孔的内表面导电处理为形成电镀孔或导电柱，或孔洞内注入导电膏/银浆形成的具有电气属性的孔。

5.根据权利要求1所述的元件嵌入式封装方法，其特征在于：定位层为接触面具有粘性的带状层。

6.根据权利要求1所述的元件嵌入式封装方法，其特征在于：介电层通过热压PP半固化片设置，介电层导电线路通过热压铜箔设置。

7.根据权利要求1所述的元件嵌入式封装方法，其特征在于，还包括对芯板的常规加工：开料、钻孔、除胶、沉铜电镀、内层PCB布局转移和棕化；

还包括对芯板增层的常规加工：除胶、棕化和外层PCB布局转移。

8.根据权利要求1所述的元件嵌入式封装方法，其特征在于，以下步骤重复至少4次：

在芯板外侧分别设置介电层和介电层导电线路。

9.一种利用权利要求1－8任意一项所述的元件嵌入式封装方法制备的集成电路构件，其特征在于：包括，

芯板(1)，所述芯板(1)上设置至少一个通槽(3)；

元件(2)，设置在所述PCB芯板(1)的通槽(3)中；

第一填充层(5)，设置在所述通槽(3)的上开口，用于填充元件(2)与通槽(3)上部之间的缝隙；

第二填充层(6)，设置在所述芯板(1)上表面并覆盖所述芯板(1)的上表面；

第三填充层(7)，设置在所述通槽(3)的下开口，用于填充元件(2)与通槽(3)下部之间的缝隙；

第四填充层(8)，设置在所述PCB芯板(1)下表面并覆盖所述芯板(1)的下表面；

介电层(9)，设置在所述第二填充层(6)的上表面和/或所述第四填充层(8)的下表面，所述介电层(9)至少为一层；

第一导电线路(10)，设置在介电层(9)的外侧面上；

第二导电线路(11a)，所述第二导电线路(11a)穿过第一填充层(5)、第二填充层(6)和介电层(9)，分别与元件(2)和第一导电线路(10)电性连接；

和/或

所述第二导电线路(11a)穿过第三填充层(7)、第四填充层(8)和介电层(9)，分别与元件(2)和第一导电线路(10)电性连接。

10.根据权利要求9所述的集成电路构件，其特征在于：设置在通槽(3)上开口的第一填充层(5)和下开口的第三填充层(7)外轮廓不小于通槽(3)的横截面轮廓。