[发明专利]固晶方法及显示面板有效
申请号: | 202010943381.2 | 申请日: | 2020-09-09 |
公开(公告)号: | CN112018224B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 杨山伟;马俊杰;陈振彰;卢元达;岂林霞;赵加伟;熊志军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;京东方晶芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L27/15;H01L21/67 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 | 代理人: | 周颖颖 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 方法 显示 面板 | ||
1.一种固晶方法,其特征在于,包括:
构建光谱复合高斯函数,计算多个发光芯片在第一CIE色坐标系下的三刺激值;
基于所述发光芯片在第一CIE色坐标系下的三刺激值,计算所述发光芯片的第一色坐标;
根据各个发光芯片的第一色坐标,确定所述多个发光芯片的色坐标范围;
根据色坐标转换公式,将所述发光芯片的第一色坐标转换为在第二CIE色坐标系下的第二色坐标;
在第二CIE色坐标系下计算色差值并判断所述色差值是否小于预设允许值;
若所述色差值小于所述预设允许值,则确定出所述发光芯片分档的步长;
基于所述色坐标范围和所述步长,划分所述发光芯片所属的档级;
选取部分档级的发光芯片排布到基板上;
所述第一CIE色坐标系为CIE 1931色度坐标,所述第二CIE色坐标系为CIE 1976色度坐标。
2.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,所述光谱复合高斯函数表示为:
所述发光芯片的三刺激值的计算公式为:
所述发光芯片的第一色坐标(CIE_XC,CIE_YC)的计算公式为:
CIE_XC=XC/(XC+YC+ZC),
CIE_YC=YC/(XC+YC+ZC);
所述多个发光芯片的色坐标范围为:
XC∈[CIE_XCmin~CIE_XCmax],YC∈[CIE_YCmin~CIE_YCmax];
其中,光谱信息包括主波长cλ、峰值波长λC和半波宽度HWC;和分别为CIE颜色响应函数,v为最大视效能。
3.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,
所述色坐标转换公式为:
CIE_u=4CIE_XC/(-2CIE_XC+12CIE_YC+3),
CIE_v=4CIE_YC/(-2CIE_XC+12CIE_YC+3);
所述色差值的计算公式为:
所述发光芯片分档的步长包括横坐标步长ΔXC和纵坐标步长ΔYC,ΔXC=XC_k+1-XC_k,ΔYC=YC_p+1-YC_p;
XC_k和XC_k+1∈[CIE_XCmin~CIE_XCmax],XC_k<XC_k+1;
YC_p和YC_p+1∈[CIE_YCmin~CIE_YCmax],YC_p<YC_p+1;
其中,(CIE_XC,CIE_YC)为所述发光芯片的第一色坐标,(CIE_u,CIE_v)为所述发光芯片的第二色坐标;(XC_k,YC_p)经所述色坐标转换公式转换成(CIE_uk,CIE_up),(XC_k+1,YC_p+1)经所述色坐标转换公式转换成(CIE_uk+1,CIE_up+1)。
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