[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

半导体装置以及半导体装置的制造方法。一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：形成第一层叠结构；形成穿透第一层叠结构的多个第一孔；在第一层叠结构上形成第二层叠结构；形成穿透第二层叠结构的多个第二孔；测量第一孔的边缘与第二孔的边缘之间的第一方向距离；以及校正要形成第二孔的第一方向位置。多个第二孔可包括相对于第一孔在正第一方向上移位的第一移位孔和相对于第一孔在负第一方向上移位的第二移位孔中的一个。

技术领域

本公开总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置以及该半导体装置的制造方法。

背景技术

非易失性存储器装置是即使供电中断时也维持所存储的数据的存储器装置。随着存储器单元以单层形式形成在半导体基板上方的二维非易失性存储器装置的集成度的改进已达到极限，已提出了存储器单元在垂直方向上形成在半导体基板上方的三维非易失性存储器装置。

三维存储器装置包括交替地层叠的层间绝缘层和栅电极以及穿透层间绝缘层和栅电极的沟道层。存储器单元沿着沟道层层叠。已开发了各种结构和制造方法以改进三维非易失性存储器装置的操作可靠性。

发明内容

根据本公开的一方面，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法可包括以下步骤：形成第一层叠结构；形成穿透第一层叠结构的多个第一孔；在第一层叠结构上形成第二层叠结构；形成穿透第二层叠结构的多个第二孔；测量第一孔的边缘与第二孔的边缘之间的第一方向距离以计算第一校正值，多个第一孔的边缘的位置分别通过第二孔暴露；以及使用第一校正值来校正要形成第二孔的第一方向位置，其中，多个第二孔包括相对于第一孔在正第一方向上移位的第一移位孔和相对于第一孔在负第一方向上移位的第二移位孔中的一个。

根据本公开的另一方面，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：形成第一层叠结构；使用包括多个第一开口的第一掩模来形成穿透第一层叠结构的多个第一孔；在第一层叠结构上形成第二层叠结构；使用包括多个第二开口的第二掩模来形成穿透第二层叠结构的多个第二孔；测量第一孔的边缘与第二孔的边缘之间的第一方向距离以计算第一校正值，多个第一孔的边缘的位置分别通过第二孔暴露；以及使用第一校正值来校正第二掩模的第一方向位置，其中，多个第二开口包括相对于第一开口在正第一方向上移位的第一移位开口和相对于第一开口在负第一方向上移位的第二移位开口中的一个。

根据本公开的另一方面，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一层叠结构；穿透第一层叠结构的多个第一孔；位于第一层叠结构上的第二层叠结构；穿透第二层叠结构的第一移位孔，该第一移位孔相对于所述多个第一孔当中的第一孔在正第一方向上移位；以及穿透第二层叠结构的第二移位孔，该第二移位孔相对于所述多个第一孔当中的第一孔在负第一方向上移位。

附图说明

现在将在下文参照附图更充分地描述实施方式的示例；然而，其可按照不同的形式具体实现，不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将彻底和完整，并且将向本领域技术人员传达实施方式的示例的范围。

在附图中，为了例示清晰，尺寸可能被夸大。将理解，当元件被称为在两个元件“之间”时，其可以是这两个元件之间的仅有元件，或者也可存在一个或更多个中间元件。相似的标号始终表示相似的元件。

图1A、图1B、图2A、图2B、图3A、图3B、图4A、图4B和图4C是示出根据本公开的实施方式的半导体装置的制造方法的示图。

图5是示出根据本公开的实施方式的半导体装置的制造方法的流程图。

图6A、图6B和图6C是示出根据本公开的实施方式的半导体装置的结构的截面图。

图7A、图7B、图8A、图8B、图9A和图9B是示出根据本公开的实施方式的半导体装置的结构的示图。

图10是示出根据本公开的实施方式的半导体装置的结构的布局。