[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

形成第一层叠结构；

形成穿透所述第一层叠结构的多个第一孔；

在所述第一层叠结构上形成第二层叠结构；

形成穿透所述第二层叠结构的多个第二孔；

测量所述第一孔的边缘与所述第二孔的边缘之间的第一方向距离以计算第一校正值，多个所述第一孔的边缘的位置分别通过所述第二孔暴露；以及

使用所述第一校正值来校正要形成所述第二孔的第一方向位置，

其中，多个所述第二孔包括相对于第一孔在正第一方向上移位的第一移位孔和相对于第一孔在负第一方向上移位的第二移位孔中的一个。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在测量所述第一方向距离的步骤中，测量所述第一孔的顶表面边缘与所述第二孔的底表面边缘之间的第一方向距离。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，测量所述第一方向距离的步骤包括以下步骤：

测量所述第一移位孔的边缘与第一孔的通过所述第一移位孔暴露的边缘之间的第一距离；以及

测量所述第二移位孔的边缘与第一孔的通过所述第二移位孔暴露的边缘之间的第二距离。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在校正所述第二孔的所述第一方向位置的步骤中，当所述第一距离大于所述第二距离时，在所述负第一方向上校正要形成所述第二孔的位置。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，当所述第二距离大于所述第一距离时，在所述正第一方向上校正要形成所述第二孔的位置。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，多个所述第二孔包括相对于第一孔在正第二方向上移位的第三移位孔和相对于第一孔在负第二方向上移位的第四移位孔中的一个。

7.根据权利要求6所述的方法，该方法还包括以下步骤：

测量所述第一孔的边缘与所述第三移位孔的边缘和所述第四移位孔的边缘之间的第二方向距离以计算第二校正值，所述第一孔的边缘的位置通过所述第三移位孔和所述第四移位孔暴露；以及

使用所述第二校正值来校正要形成所述第二孔的第二方向位置。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一孔与所述第二孔之间的界面处，所述第一孔的宽度大于所述第二孔的宽度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，多个所述第二孔包括与第一孔对准的非移位孔。

10.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

形成第一单元层叠结构；

形成穿透所述第一单元层叠结构的第一沟道孔；

在所述第一单元层叠结构上形成第二单元层叠结构；以及

形成穿透所述第二单元层叠结构的第二沟道孔。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，当形成所述第一孔时，形成所述第一沟道孔，并且当形成所述第二孔时，形成所述第二沟道孔。

12.根据权利要求10所述的方法，该方法还包括以下步骤：使用所述第一校正值来校正要形成所述第二沟道孔的第一方向位置。