[发明专利]切削刀具、切削刀具的制造方法和晶片的切削方法

说明书

本发明提供切削刀具、切削刀具的制造方法和晶片的切削方法。期望如下的切削刀具：其能够抑制Low‑k膜等切削时容易剥离的绝缘膜发生剥离，并且能够切削该绝缘膜。提供能够抑制切削时容易剥离的绝缘膜发生剥离并且能够切削该绝缘膜的切削刀具。切削刀具具有结合材料和磨粒，其中，该切削刀具通过结合材料而固定该磨粒，该结合材料的至少一部分为玻璃状碳。优选切削刀具的磨粒的平均粒径为12μm以下。

技术领域

本发明涉及通过结合材料而固定磨粒的切削刀具、该切削刀具的制造方法以及利用该切削刀具对设置于晶片的一个面侧的绝缘膜进行切削的晶片的切削方法。

背景技术

已知有将晶片沿着各分割预定线进行分割的方法，该晶片在由设置于正面侧的多条分割预定线划分的各区域内形成有IC(Integrated Circuit，集成电路)、LSI(LargeScale Integration，大规模集成)等器件。

在晶片的正面侧形成有绝缘膜与金属层交替层叠的多层布线层。为了提高IC、LSI等电路的处理能力，有时绝缘膜由低介电常数绝缘体材料(即Low-k材料)形成。作为Low-k材料，使用SiO₂、SiOF、SiOB等无机物系材料、聚酰亚胺系、聚对二甲苯系等有机物系材料。

在由Low-k材料构成的绝缘膜(即Low-k膜)层叠于多层布线层中的情况下，存在如下的问题：当利用切削刀具沿着分割预定线对多层布线层进行切削时，在Low-k膜上产生裂纹或碎裂，Low-k膜从晶片剥离。

因此，通常沿着分割预定线对晶片的正面侧照射激光束，从而形成多层布线层被部分地去除的激光加工槽(例如参照专利文献1、2)。并且，在形成了激光加工槽之后，使用切削刀具或激光束对激光加工槽的底部进行切削，从而将晶片切断而制造多个器件芯片。

专利文献1：日本特开2004-188475号公报

专利文献2：日本特开2005-64230号公报

但是，激光加工装置是昂贵的，因此如果能够不使用激光束而沿着分割预定线将多层布线层去除，则能够降低晶片的分割所需的成本。因此，期望一种切削刀具，其能够抑制切削时容易剥离的Low-k膜等绝缘膜发生剥离，并且能够切削该绝缘膜。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供切削刀具，其能够抑制切削时容易剥离的绝缘膜发生剥离，并且能够切削该绝缘膜。

根据本发明的一个方式，提供切削刀具，其具有结合材料和磨粒，其中，该切削刀具通过该结合材料而固定该磨粒，该结合材料的至少一部分为玻璃状碳。

优选该切削刀具的该磨粒的平均粒径为12μm以下。

根据本发明的另一方式，提供切削刀具的制造方法，该切削刀具通过结合材料而固定磨粒，其特征在于，该切削刀具的制造方法具有如下的工序：成型工序，由混合物形成规定的形状的成型体，该混合物具有热硬化树脂和该磨粒；烧结工序，按照100℃以上且300℃以下的温度对该成型体进行烧结而形成烧结体；以及热处理工序，在惰性气体气氛下或真空气氛下按照500℃以上且1500℃以下的温度对该烧结体进行热处理，通过该热处理工序，该热硬化树脂的至少一部分成为玻璃状碳的该结合材料。

根据本发明的又一方式，提供晶片的切削方法，对设置于晶片的正面侧的绝缘膜进行切削，该晶片在由呈格子状设定的分割预定线划分的多个区域内分别形成有器件，其中，该晶片的切削方法具有如下的工序：保持工序，利用卡盘工作台对该晶片的位于与该正面相反的一侧的背面侧进行吸引而保持，从而在使该正面侧露出的状态下对该晶片进行保持；以及切削工序，使用切削刀具沿着该分割预定线切削位于该正面侧的该绝缘膜，该切削刀具通过结合材料而固定磨粒，该结合材料的至少一部分为玻璃状碳。

优选在该切削工序中，使用磨粒的平均粒径为12μm以下的该切削刀具对该绝缘膜进行切削。