[发明专利]芯片

说明书

提供了一种芯片，其设置有电路区域。电路区域包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管被区分为互相并连的多个第一子晶体管。第二晶体管被区分为互相并连的多个第二子晶体管。第一子晶体管及第二子晶体管互相交错设置在电路区域的第一行及第二行中。设置在第一行及第二行的第一晶体管分别通过不同信号线接收第一输入信号。设置在第一行及第二行的第二晶体管分别通过不同信号线接收第二输入信号。

技术领域

本发明涉及一种芯片，且特别涉及一种半导体芯片。

背景技术

在现今的电子装置中，当电子装置中的芯片产生崩裂时，崩裂往往会影响芯片中的信号或电压的传递，进而导致芯片中的电路区域完全失能。

发明内容

本发明提供一种芯片，可有效避免崩裂导致电路区域的完全失能。

本发明的芯片包括电路区域。电路区域包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管被区分为互相并连的多个第一子晶体管。第二晶体管被区分为互相并连的多个第二子晶体管。第一子晶体管及第二子晶体管互相交错设置在电路区域的第一行及第二行中。设置在第一行及第二行的第一晶体管分别通过不同信号线接收第一输入信号。设置在第一行及第二行的第二晶体管分别通过不同信号线接收第二输入信号。

本发明的芯片包括电路区域、电力轨线及电源电路。电力轨线被区分为互相串连的第一电力轨线及第二电力轨线。电力轨线耦接于电路区域。电源电路被区分为第一电源电路及第二电源电路。电源电路耦接于电力轨线。电源电路通过电力轨线提供第一电压至电路区域。第一电力轨线的两端分别耦接于第一电源电路及第二电源电路。第二电力轨线的两端分别耦接于第一电源电路及第二电源电路。

基于上述，通过将第一晶体管及第二晶体管交错设置在电路区域中的第一行及第二行，且通过不同信号线来接收输入信号，如此一来，当崩裂发生在芯片上时，可有效避免电路区域的完全失能。

附图说明

图1A为本发明实施例一电路区域的示意图。

图1B为本发明实施例一电路区域发生崩裂CRK的示意图。

图2为本发明实施例一电路区域的示意图。

图3A为本发明实施例一电路区域的示意图。

图3B为本发明实施例一电路区域的示意图。

图4A为本发明实施例一芯片的示意图。

图4B为本发明实施例一芯片的示意图

附图标记说明：

10、20、30a、30b：电路区域

40、41：芯片

100～108、200～213、300a～305a、300b～305b、306～311、400、401、401a、401b、410～413：信号线

402、403、414～417：电源电路

IN1、IN2：输入信号

CRK：崩裂

M1-1～M1-4、M2-1～M2-4、N1-1～N1-4、N2-1～N2-4、N3-1～N3-4、N4-1～N4-4、P1-1～P1-4、P2-1～P2-4、P3-1～P3-4、P4-1～P4-4：晶体管

V1：第一电压

V2：第二电压

具体实施方式