[发明专利]静电钳位电路及芯片结构在审

专利信息
申请号: 202010932032.0 申请日: 2020-09-07
公开(公告)号: CN112103932A 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 杨洋;冯东东 申请(专利权)人: 海光信息技术股份有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 钟扬飞
地址: 300450 天津市滨海新区华苑产*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 静电 电路 芯片 结构
【说明书】:

本申请提供一种静电钳位电路及芯片结构。该静电钳位电路,包括:检测单元,其与供电端连接,以用于检测供电端的电压是否上升;第一开关管,其输入端与供电端连接,其输出端与接地端连接;反相器单元,其包括N个依次级联的反相器,反相器单元的第1级反相器的输入端与所述检测单元的输出端连接,反相器单元的第N级反相器的输出端与所述第一开关管的栅极连接;反相器单元用于在所述供电端电压上升时控制所述第一开关管导通;第二开关管,其源极接入预设电压,其漏极与反相器单元的第N级反相器的输入端连接,其栅极与所述第一开关管的栅极连接,所述第二开关管用于延长所述第一开关管的导通时间。本申请可以提高电荷释放率,提高电路的安全性。

技术领域

本申请涉及电源电路技术领域,特别涉及一种静电钳位电路及芯片结构。

背景技术

传统电源钳位电路的结构如图1所示,其包括:RC单元、一个反相器、一个开关管T0和一个二极管D0组成。该反相器由PMOS管P0和NMOS管N0组成。当外部静电引起供电端VDD的电压突变升高时,由于电容C0的存在,导致A点的电压突然升高,A点电压驱动反相器使得B点电压下降,从而使开关管T0打开,释放该供电端VDD的电荷,使得供电端VDD的电压不会过高,从而可以保护内部电路。当VSS电压突然升高时,二极管D0会导通,泄放电荷,从而保护内部电路。

但是,由于A点的电位是先升高而后通过电阻R0放电,逐渐下降到VSS,与此同时,B点受A点的控制,先被拉低,然后逐渐升高,直到上升到供电端VDD的电压。由于B点电压是逐渐升高的,所以开关管T0的打开程度逐渐减小,直到关闭。从而导致供电端VDD释放电荷的时间过短,导致放电不彻底的问题发生,还会导致存在电荷聚集问题,容易损毁芯片或者集成电路。

针对上述问题,目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种静电钳位电路及芯片结构,可以提高电荷释放时间,从而使得对供电端的电荷释放更彻底,进而提高集成电路的安全性。

本申请实施例提供了一种静电钳位电路,包括:

检测单元,其与供电端连接,以用于检测供电端的电压是否上升;

第一开关管,其输入端与供电端连接,其输出端与接地端连接;

反相器单元,其包括N个依次级联的反相器,所述反相器单元的第1级反相器的输入端与所述检测单元的输出端连接,所述反相器单元的第N级反相器的输出端与所述第一开关管的栅极连接;所述反相器单元用于在所述供电端电压上升时控制所述第一开关管导通;

第二开关管,其源极接入预设电压,其漏极与所述反相器单元的第N级反相器的输入端连接,其栅极与所述第一开关管的栅极连接,所述第二开关管用于延长所述第一开关管的导通时间。

本申请实施例中,通过采用第二开关管来延长第一开关管在释放电荷时的导通时间,从而提高了电荷释放量,使得供电端的放电更彻底,对集成电路的保护效果更好。

可选地,在本申请实施例所述的静电钳位电路中,所述静电钳位电路还包括:

一二极管,其负极与供电端连接,其正极与接地端连接。

可选地,在本申请实施例所述的静电钳位电路中,所述静电钳位电路还包括:

第二电阻,所述第二电阻的一端与所述第二开关管的源极连接,所述第二电阻的另一端与所述第二开关管的栅极连接。

本申请实施例中,通过该第二电阻来提高在放电完成后,该第一开关管的栅极电压的上升速度,从而使得在放电完成后,该第一开关管可以更快关断,从而可以避免放电完成后供电端向接地端漏电,可以降低功耗。

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