[发明专利]静电钳位电路及芯片结构

权利要求书

1.一种静电钳位电路，其特征在于，包括：

检测单元，其与供电端连接，以用于检测供电端的电压是否上升；

第一开关管，其输入端与供电端连接，其输出端与接地端连接；

反相器单元，其包括N个依次级联的反相器，所述反相器单元的第1级反相器的输入端与所述检测单元的输出端连接，所述反相器单元的第N级反相器的输出端与所述第一开关管的栅极连接；所述反相器单元用于在所述供电端电压上升时控制所述第一开关管导通；

第二开关管，其源极接入预设电压，其漏极与所述反相器单元的第N级反相器的输入端连接，其栅极与所述第一开关管的栅极连接，所述第二开关管用于延长所述第一开关管的导通时间。

2.根据权利要求1所述的静电钳位电路，其特征在于，所述静电钳位电路还包括：

一二极管，其负极与供电端连接，其正极与接地端连接。

3.根据权利要求1所述的静电钳位电路，其特征在于，所述静电钳位电路还包括：

第二电阻，所述第二电阻的一端与所述第二开关管的源极连接，所述第二电阻的另一端与所述第二开关管的栅极连接。

4.根据权利要求1-3任一项所述的静电钳位电路，其特征在于，所述检测单元包括电阻性元件以及电容性元件，所述电容性元件的一端与供电端连接，所述电容性元件的另一端与所述电阻性元件的一端连接作为所述检测单元的输出端，所述电阻性元件的另一与接地端连接。

5.根据权利要求4所述的静电钳位电路，其特征在于，N为大于2的奇数，所述第一开关管以及所述第二开关管均为P沟道场效应晶体管，所述第二开关管的源极接入的预设电压为第一高电平。

6.根据权利要求5所述的静电钳位电路，其特征在于，所述第二开关管的源极与供电端连接。

7.根据权利要求4所述的静电钳位电路，其特征在于，N为大于1的偶数，所述第一开关管以及所述第二开关管均为P沟道场效应晶体管，所述第二开关管的源极接入的预设电压为第一低电平。

8.根据权利要求7所述的静电钳位电路，其特征在于，所述第二开关管的源极与接地端连接。

9.根据权利要求1-3任一项所述的静电钳位电路，其特征在于，所述检测单元包括电阻性元件以及电容性元件，所述电容性元件的一端与接地端连接，所述电容性元件的另一端与所述电阻性元件的一端连接于作为所述检测单元的输出端，所述电阻性元件的另一与供电端连接。

10.根据权利要求9所述的静电钳位电路，其特征在于，N为大于2的奇数，所述第一开关管以及所述第二开关管均为N沟道场效应晶体管，所述第二开关管的源极接入的预设电压为第一低电平。

11.根据权利要求10所述的静电钳位电路，其特征在于，所述第二开关管的源极与所述接地端连接。

12.根据权利要求9所述的静电钳位电路，其特征在于，N为大于1的偶数，所述第一开关管以及所述第二开关管均为P沟道场效应晶体管，所述第二开关管的源极接入的预设电压为第一高电平。

13.根据权利要求1-3任一项所述的静电钳位电路，其特征在于，所述电容性元件包括第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管的源极和漏极连接作为所述电容性元件的一端，所述第一场效应晶体管的栅极作为所述电容性元件的另一端。

14.根据权利要求1-3任一项所述的静电钳位电路，其特征在于，所述电阻性元件包括第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管的源极和漏极分别作为所述电阻性元件的两端，所述第二场效应晶体管的栅极接入预设电压以使得所述第二场效应晶体管保持常开。