[发明专利]顶发光AMOLED显示面板、制作方法以及显示装置在审
| 申请号: | 202010928470.X | 申请日: | 2020-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN111933681A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
| 发明(设计)人: | 郑智琳;唐甲;张晓星 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 amoled 显示 面板 制作方法 以及 显示装置 | ||
本申请涉及一种顶发光AMOLED显示面板、制作方法以及显示装置;所述顶发光AMOLED显示面板包括钝化层以及保护传导层;钝化层夹设于顶发光AMOLED显示面板的层间绝缘层与平坦化层之间;钝化层上对应于金属层开设有开孔;金属层为形成于层间绝缘层上的金属层;保护传导层覆盖在金属层和开孔的侧壁上,且保护传导层的一部分延伸至层间绝缘层上,其中,钝化层覆盖在形成于层间绝缘层上的金属层上,可对金属层进行物理防护避免其氧化,保护传导层包覆住金属层,避免金属层被后续工艺中的阳极刻蚀液刻蚀或氧化,从而提高电信号传导的可靠性,提高顶发光AMOLED显示面板的性能。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种顶发光AMOLED显示面板、制作方法以及显示装置。
背景技术
AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode,有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)显示技术具备响应速度快、自发光、显示效果优异以及电能消耗低等优点,而逐渐得到广泛的应用。
AMOLED面板通常采用导电性较好的铜或铜合金做金属走线,对于Bonding Pad(结合区)区,铜无法裸漏在表面作为Bonding Pad。目前,底发光的AMOLED面板中采用导电金属氧化物ITO(Indium Tin Oxides,铟锡氧化物)作为Bonding Pad,但是,在开发顶发光的AMOLED面板时发现,由于顶发光的阳极通常采用ITO/Ag(Argentum,银)/ITO或IZO/Ag/IZO(Indium zinc oxid,氧化铟锌),在蚀刻阳极过程中,若Bonding Pad为ITO,酸液往往会渗透ITO进而蚀刻下方的金属层,最终导致Bonding Pad异常;若Bonding Pad为带有金属银的复合层,在信赖性RA(Reliant Apprais,e信赖性)测试中,Bonding Pad极易出现银氧化的问题,而且在发光区的金属层在刻蚀过程中,也会出现铜氧化的问题。
因此,在实现过程中,发明人发现传统技术中至少存在如下问题:传统AMOLED面板的存在电信号传输不良的问题。
发明内容
基于此,有必要针对传统AMOLED面板的存在电信号传输不良的问题,提供一种顶发光AMOLED显示面板、制作方法以及显示装置。
为了实现上述目的,一方面,本申请实施例提供了一种顶发光AMOLED显示面板,包括钝化层以及保护传导层;
钝化层夹设于顶发光AMOLED显示面板的层间绝缘层与平坦化层之间;钝化层上对应于金属层开设有开孔;金属层为形成于层间绝缘层上的金属层;
保护传导层覆盖在金属层和开孔的侧壁上,且保护传导层的一部分延伸至钝化层上。
在其中一个实施例中,还包括玻璃基板、避光层、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层以及栅极金属层;
避光层夹设于玻璃基板和缓冲层之间;
半导体层设置在缓冲层上;
栅极绝缘层夹设于半导体层和栅极金属层之间;
层间绝缘层设置在缓冲层上,且包覆半导体层、栅极绝缘层和栅极金属层。
在其中一个实施例中,还包括像素电极层以及像素定义层;
像素电极层设置在平坦化层上,且像素电极层贯穿平坦化层与对应的保护传导层接触;
像素定义层设置在平坦化层上。
在其中一个实施例中,保护传导层为MoTi材料层。
在其中一个实施例中,钝化层为一层结构、两层结构或多层结构的薄膜。
在其中一个实施例中,钝化层为SiOx材料层或SiNx材料层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





