[发明专利]顶发光AMOLED显示面板、制作方法以及显示装置在审
| 申请号: | 202010928470.X | 申请日: | 2020-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN111933681A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
| 发明(设计)人: | 郑智琳;唐甲;张晓星 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 amoled 显示 面板 制作方法 以及 显示装置 | ||
1.一种顶发光AMOLED显示面板,其特征在于,包括钝化层以及保护传导层;
所述钝化层夹设于所述顶发光AMOLED显示面板的层间绝缘层与平坦化层之间;所述钝化层上对应于金属层开设有开孔;所述金属层为形成于所述层间绝缘层上的金属层;
所述保护传导层覆盖在所述金属层和所述开孔的侧壁上,且所述保护传导层的一部分延伸至所述钝化层上。
2.根据权利要求1所述的顶发光AMOLED显示面板,其特征在于,还包括玻璃基板、避光层、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层以及栅极金属层;
所述避光层夹设于所述玻璃基板和所述缓冲层之间;
所述半导体层设置在所述缓冲层上;
所述栅极绝缘层夹设于所述半导体层和所述栅极金属层之间;
所述层间绝缘层设置在所述缓冲层上,且包覆所述半导体层、所述栅极绝缘层和所述栅极金属层。
3.根据权利要求2所述的顶发光AMOLED显示面板,其特征在于,还包括像素电极层以及像素定义层;
所述像素电极层设置在所述平坦化层上,且所述像素电极层贯穿所述平坦化层与对应的所述保护传导层接触;
所述像素定义层设置在所述平坦化层上。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的顶发光AMOLED显示面板,其特征在于,所述保护传导层为MoTi材料层。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的顶发光AMOLED显示面板,其特征在于,所述钝化层为一层结构、两层结构或多层结构的薄膜。
6.根据权利要求5所述的顶发光AMOLED显示面板,其特征在于,所述钝化层为SiOx材料层或SiNx材料层。
7.一种顶发光AMOLED显示面板制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供玻璃基板;所述玻璃基板上形成有避光层、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层以及形成于所述层间绝缘层上的金属层;
在所述层间绝缘层上形成钝化层;
在所述钝化层上对应于所述金属层形成开孔;
在所述开孔的侧壁、所述金属层和所述层间绝缘层上形成保护传导层。
8.根据权利要求7所述的顶发光AMOLED显示面板制作方法,其特征在于,还包括步骤:
在所述钝化层上形成平坦化层;
在所述平坦化层上形成通孔;所述通孔的腔与所述开孔的腔连通;
在所述通孔的腔内和所述平坦化层上形成像素电极层;
在所述平坦化层和所述像素电极层上形成像素定义层。
9.根据权利要求7或8所述的顶发光AMOLED显示面板制作方法,其特征在于,在所述开孔的侧壁、所述金属层和所述层间绝缘层上形成保护传导层的步骤中:
在所述开孔的侧壁、所述金属层和所述层间绝缘层上沉积MoTi材料,以形成所述保护传导层。
10.根据权利要求7或8所述的顶发光AMOLED显示面板制作方法,其特征在于,所述钝化层为一层结构、两层结构或多层结构的薄膜。
11.根据权利要求10所述的顶发光AMOLED显示面板制作方法,其特征在于,在所述层间绝缘层上形成钝化层步骤中:
在所述层间绝缘层上沉积SiOx材料,以形成所述钝化层;或
在所述层间绝缘层上沉积SiNx材料,以形成所述钝化层。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至4任意一项所述的顶发光AMOLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





