[发明专利]顶发光AMOLED显示面板、制作方法以及显示装置在审

专利信息
申请号: 202010928470.X 申请日: 2020-09-07
公开(公告)号: CN111933681A 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 郑智琳;唐甲;张晓星 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 唐秀萍
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光 amoled 显示 面板 制作方法 以及 显示装置
【权利要求书】:

1.一种顶发光AMOLED显示面板,其特征在于,包括钝化层以及保护传导层;

所述钝化层夹设于所述顶发光AMOLED显示面板的层间绝缘层与平坦化层之间;所述钝化层上对应于金属层开设有开孔;所述金属层为形成于所述层间绝缘层上的金属层;

所述保护传导层覆盖在所述金属层和所述开孔的侧壁上,且所述保护传导层的一部分延伸至所述钝化层上。

2.根据权利要求1所述的顶发光AMOLED显示面板,其特征在于,还包括玻璃基板、避光层、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层以及栅极金属层;

所述避光层夹设于所述玻璃基板和所述缓冲层之间;

所述半导体层设置在所述缓冲层上;

所述栅极绝缘层夹设于所述半导体层和所述栅极金属层之间;

所述层间绝缘层设置在所述缓冲层上,且包覆所述半导体层、所述栅极绝缘层和所述栅极金属层。

3.根据权利要求2所述的顶发光AMOLED显示面板,其特征在于,还包括像素电极层以及像素定义层;

所述像素电极层设置在所述平坦化层上,且所述像素电极层贯穿所述平坦化层与对应的所述保护传导层接触;

所述像素定义层设置在所述平坦化层上。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的顶发光AMOLED显示面板,其特征在于,所述保护传导层为MoTi材料层。

5.根据权利要求1至3任意一项所述的顶发光AMOLED显示面板,其特征在于,所述钝化层为一层结构、两层结构或多层结构的薄膜。

6.根据权利要求5所述的顶发光AMOLED显示面板,其特征在于,所述钝化层为SiOx材料层或SiNx材料层。

7.一种顶发光AMOLED显示面板制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供玻璃基板;所述玻璃基板上形成有避光层、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层以及形成于所述层间绝缘层上的金属层;

在所述层间绝缘层上形成钝化层;

在所述钝化层上对应于所述金属层形成开孔;

在所述开孔的侧壁、所述金属层和所述层间绝缘层上形成保护传导层。

8.根据权利要求7所述的顶发光AMOLED显示面板制作方法,其特征在于,还包括步骤:

在所述钝化层上形成平坦化层;

在所述平坦化层上形成通孔;所述通孔的腔与所述开孔的腔连通;

在所述通孔的腔内和所述平坦化层上形成像素电极层;

在所述平坦化层和所述像素电极层上形成像素定义层。

9.根据权利要求7或8所述的顶发光AMOLED显示面板制作方法,其特征在于,在所述开孔的侧壁、所述金属层和所述层间绝缘层上形成保护传导层的步骤中:

在所述开孔的侧壁、所述金属层和所述层间绝缘层上沉积MoTi材料,以形成所述保护传导层。

10.根据权利要求7或8所述的顶发光AMOLED显示面板制作方法,其特征在于,所述钝化层为一层结构、两层结构或多层结构的薄膜。

11.根据权利要求10所述的顶发光AMOLED显示面板制作方法,其特征在于,在所述层间绝缘层上形成钝化层步骤中:

在所述层间绝缘层上沉积SiOx材料,以形成所述钝化层;或

在所述层间绝缘层上沉积SiNx材料,以形成所述钝化层。

12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至4任意一项所述的顶发光AMOLED显示面板。

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