[发明专利]半导体存储器设备及其操作方法

说明书

提供了半导体存储器设备及其操作方法。半导体存储器设备包括：具有多个存储器单元的存储器单元阵列，该多个存储器单元被编程为多个编程状态；外围电路，该外围电路用于通过多个编程循环对多个存储器单元中的所选择的存储器单元执行编程操作；电流感测电路，该电流感测电路用于通过对存储器单元中的所选择的存储器单元执行个体状态电流感测操作来确定多个编程状态中的每个编程状态的验证结果；以及控制逻辑，该控制逻辑用于基于多个编程循环中的被执行的编程循环的数目来控制电流感测电路执行个体状态电流感测操作。

相关申请的交叉引用

本申请根据35U.S.C.§119(a)要求于2020年3月3日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2020-0026687的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及电子设备，并且更具体地涉及半导体存储器设备及其操作方法。

背景技术

最近的计算机环境的范例已转移到无处不在的计算环境，其中可以随时随地地使用计算环境。这促进了诸如移动电话、数码相机、笔记本计算机等的便携式电子设备的更多使用。这种便携式电子设备通常可以包括使用半导体存储器设备(即，数据存储设备)的存储器系统。数据存储设备用作便携式电子设备的主存储器设备或辅助存储器设备。

由于没有机械驱动部件，所以使用半导体存储器设备的数据存储设备具有优异的稳定性和耐久性、高信息访问速度和低功耗。在具有这种优点的存储器系统的示例中，数据存储设备包括通用串行总线(USB)存储器设备、具有各种接口的存储卡、固态驱动装置(SSD)等。

半导体存储器设备通常被分类为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。

非易失性存储器设备具有相对较慢的写入和读取速度，但是即使在电源中断的情况下也保留所存储的数据。因此，无论是否供电，非易失性存储器设备均用于存储待保留的数据。

易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、掩码ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除和可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻型RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)等。闪存被分类为NOR型闪存和NAND型闪存。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了半导体存储器设备，其包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列具有被编程为多个编程状态的多个存储器单元；外围电路，该外围电路被配置为通过多个编程循环对多个存储器单元中的所选择的存储器单元执行编程操作；电流感测电路，该电流感测电路被配置为通过对存储器单元中的所选择的存储器单元执行个体(individual)状态电流感测操作来确定多个编程状态中的每个编程状态的验证结果；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为基于多个编程循环中所执行的编程循环的数目来控制电流感测电路执行个体状态电流感测操作。

根据本公开的另一方面，提供了半导体存储器设备，其包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列具有被编程为第一至第n编程状态的多个存储器单元，其中n为大于2的正整数；外围电路，该外围电路被配置为通过多个编程循环对多个存储器单元中的所选择的存储器单元执行编程操作；电流感测电路，该电流感测电路被配置为对存储器单元中的所选择的存储器单元执行与第一至第n编程状态分别对应的个体状态电流感测操作；控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制外围电路执行编程操作，并且控制电流感测电路在多个编程循环中的初始m个编程循环期间，跳过与第一编程状态相对应的个体状态电流感测操作，其中m是大于1的正整数。