[发明专利]半导体存储器设备及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器设备，包括：

存储器单元阵列，具有多个存储器单元，所述多个存储器单元被编程为多个编程状态；

外围电路，被配置为：通过多个编程循环，对所述多个存储器单元中的所选择的存储器单元执行编程操作；

电流感测电路，被配置为：通过对所述存储器单元中的所述所选择的存储器单元执行个体状态电流感测操作，确定所述多个编程状态中的每个编程状态的验证结果；以及

控制逻辑，被配置为：基于多个编程循环中的、被执行的编程循环的数目，控制所述电流感测电路，以执行所述个体状态电流感测操作。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中所述控制逻辑：

通过控制所述外围电路，控制所述多个编程循环顺序地被执行，以及

控制所述电流感测电路，以在所述多个编程循环中的初始m个编程循环正在被执行时，跳过所述个体状态电流感测操作，其中m是大于1的正整数。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中所述控制逻辑：

控制与所述多个编程状态相对应的所述多个编程循环顺序地被执行；

控制所述外围电路，以在对所述多个编程状态中的第一编程状态的编程操作中，执行所述多个编程循环中的、与所述第一编程状态相对应的编程循环，以及

控制所述电流感测电路，以在与所述第一编程状态相对应的所述编程循环中的初始m个编程循环期间，跳过与所述第一编程状态相对应的所述个体状态电流感测操作。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器设备，其中所述控制逻辑控制所述电流感测电路，以从与所述第一编程状态相对应的所述编程循环中的第m+1个编程循环，执行与所述第一编程状态相对应的所述个体状态电流感测操作。

5.根据权利要求3所述的半导体存储器设备，其中所述控制逻辑：

控制所述外围电路，以对所述多个编程状态中的第二编程状态至第n编程状态顺序地执行编程操作，

控制外围电路，以在与所述第二编程状态至所述第n编程状态中的任一个编程状态相对应的编程操作中，顺序地执行所述多个编程循环中的、与所述一个编程状态相对应的编程循环，以及

控制所述电流感测电路，以在与所述一个编程状态相对应的所述编程循环中的初始k个编程循环期间，跳过与所述一个编程状态相对应的所述个体状态电流感测操作，其中k是大于1的正整数。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器设备，其中所述控制逻辑控制所述电流感测电路，以从与所述一个编程状态相对应的所述编程循环中的第k+1个编程循环，执行与所述一个编程状态相对应的所述个体状态电流感测操作。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中所述外围电路包括多个页面缓冲器，所述多个页面缓冲器被连接到所述存储器单元阵列的位线，并且

其中所述多个页面缓冲器在验证操作中向所述位线提供感测电流，以感测所述所选择的存储器单元的阈值电压，感测所述位线的电流量，并且然后将所感测的电流量锁存为感测数据，并通过使用经锁存的所述感测数据来生成感测电压。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器设备，其中所述电流感测电路基于在所述个体状态电流感测操作中从所述控制逻辑接收的允许位，生成参考电压，并且通过将所述参考电压和所述感测电压进行比较，生成通过信号或失败信号。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器设备，其中所述控制逻辑基于所述通过信号或所述失败信号，确定与所述多个编程状态中的每个编程状态相对应的所述验证操作是否已完成。