[发明专利]蚀刻方法和基板处理系统在审
| 申请号： | 202010926933.9 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112530800A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 高桥信博;宫田一史;浅田泰生 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 处理 系统 | ||
本发明涉及蚀刻方法和基板处理系统。[课题]适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：对前述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对前述附着物的表面进行改性的工序；和，对前述硅锗层供给含氟气体，从而对前述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。
技术领域
本公开涉及蚀刻方法和基板处理系统。
背景技术
专利文献1中公开了一种方法，其为对硅进行促进蚀刻的方法，用蚀刻气体ClF3或XeF2对硅在无等离子体下进行蚀刻。根据专利文献1中记载的方法，通过向存在于基板上的硅层导入锗，从而将基板转化为复合半导体，利用前述蚀刻气体进行蚀刻。
专利文献2中公开了一种方法，其为以金属类物质或其化合物为材质的构件的微细加工方法，加工用的反应性气体含有ClF、ClF3、ClF5中的至少一种。根据专利文献2中记载的方法，可以以高的加工速度、且简便地进行半导体集成电路的制造工艺中的蚀刻。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2009-510750号公报
专利文献2：日本特开平1-92385号公报
发明内容
本公开所涉及的技术适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。
本公开的一方案为一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：对前述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对前述附着物的表面进行改性的工序；和，对前述硅锗层供给含氟气体，从而对前述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。
根据本公开，可以适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。
附图说明
图1为示出负载(Loading)的发生例的说明图。
图2为示出前处理的样子的一例的说明图。
图3为示意性示出晶圆处理系统的构成的一例的俯视图。
图4为示出通过前处理残留的附着物的一例的表。
图5为示出等离子体处理装置的构成的一例的纵剖视图。
图6为示出侧面蚀刻后的晶圆的样子的一例的说明图。
图7为示出等离子体处理装置的另一构成的一例的纵剖视图。
1 晶圆处理系统
61 等离子体处理装置
62 蚀刻处理装置
D 附着物
W 晶圆
Wn 排列面
具体实施方式
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
