[发明专利]蚀刻方法和基板处理系统在审
| 申请号： | 202010926933.9 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112530800A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 高桥信博;宫田一史;浅田泰生 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 处理 系统 | ||
1.一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：
对所述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对所述附着物的表面进行改性的工序；和，
对所述硅锗层供给含氟气体，从而对所述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述气体包含氢自由基。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，所述气体的等离子体化用远程等离子体生成部而进行。
4.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其中，所述远程等离子体生成部中的功率为300W～1000W。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述含氟气体包含ClF3、F2Cl3或F2中的至少任意一者。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的蚀刻方法，其中，对所述附着物的表面进行改性的工序至少先于进行所述侧面蚀刻的工序进行。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的蚀刻方法，其中，至少在先于进行所述侧面蚀刻的工序，包括如下工序：去除所述附着物中的氧化物。
8.一种基板处理系统，其为对基板进行处理的基板处理系统，
所述基板处理系统具备：
等离子体处理装置，其在所述基板的表面交替地层叠硅层与硅锗层，对所述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体；和，
蚀刻装置，其对所述硅锗层供给含氟气体，从而对所述硅锗层进行侧面蚀刻。
9.根据权利要求8所述的基板处理系统，其中，所述等离子体处理装置具备：使所述气体等离子体化的远程等离子体生成部。
10.根据权利要求9所述的基板处理系统，其中，通过所述气体的等离子体化而生成氢自由基。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的基板处理系统，其中，所述含氟气体包含ClF3、F2Cl3或F2中的至少任意一者。
12.根据权利要求8～11中任一项所述的基板处理系统，其中，具备：去除所述附着物中的氧化物的突破装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
