[发明专利]横向双扩散晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种横向双扩散晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

利用多次离子注入在衬底上的注入区及注入区之间的交叠区形成第一掺杂类型的漂移区，所述漂移区的掺杂浓度以所述交叠区的中心沿沟道方向向两端呈梯度递减变化；

在所述衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅层，通过蚀刻形成间隔设置的栅极结构，所述栅极结构定义出多个源区和所述漂移区；

在每个所述源区依次进行离子注入形成第二掺杂类型的阱区，每个所述栅极结构均位于所述阱区和所述漂移区之间，且和与该栅极结构相邻近的所述阱区和所述漂移区接触；

在每个所述阱区中依次进行离子注入形成至少一个N型区和一个P型区，以及利用离子注入在所述漂移区中所述交叠区的中心区域形成一个N型区；

在所述源区、所述栅极结构和所述漂移区分别形成金属接触对应引出源极电极、栅极电极和漏极电极，

形成的所述横向双扩散晶体管是以所述漂移区的中心轴线呈左右对称的结构，

其中，所述多次离子注入包括自对准注入、在自对准注入后的偶数次的离子注入和在每个偶数次后的奇数次的离子注入；

在所述自对准注入后偶数次的离子注入中采用的第一角度和该偶数次的下一奇数次的离子注入中采用的第二角度互补，

其中，所述第一角度和所述第二角度均为离子斜向注入的方向与水平右向的夹角，且在所述自对准注入后偶数次的离子注入中，采用的所述第一角度随注入的次序呈梯度递减变化，在所述自对准注入后奇数次的离子注入中，采用的所述第二角度随注入的次序呈梯度递增变化。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在利用多次离子注入在衬底上的注入区及注入区之间的交叠区形成第一掺杂类型的漂移区前，所述制造方法还包括：

在所述衬底上形成第一掺杂类型的外延层，并且所述漂移区形成于所述外延层上。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述利用多次离子注入在衬底上的注入区及注入区之间的交叠区形成第一掺杂类型的漂移区包括：

利用图案化掩膜版进行竖直方向的自对准注入，在所述外延层上形成第一掺杂注入区；

复用该图案化掩膜版在所述自对准注入后的偶数次的离子注入中，在所述第一掺杂注入区中采用第一角度的斜向注入形成与所述第一掺杂注入区相叠加的交叠区；

复用该图案化掩膜版在每个偶数次后的奇数次的离子注入中，在所述第一掺杂注入区中进行第二角度的斜向注入形成与所述第一掺杂注入区相叠加的交叠区，使叠加后所述第一掺杂注入区的浓度以该第一掺杂注入区的中心轴线呈对称分布；

所述第一掺杂注入区以及与所述第一掺杂注入区相叠加的交叠区形成所述漂移区，所述漂移区的掺杂浓度以所述交叠区的中心沿沟道方向向两端呈梯度递减变化。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通过蚀刻形成间隔设置的栅极结构，所述栅极结构定义出多个源区和所述漂移区，包括：

通过依次蚀刻同一位置上的所述多晶硅层和所述栅氧化层，使保留区域的所述多晶硅层和所述栅氧化层叠加形成间隔设置的第一栅极结构和第二栅极结构，

所述第一栅极结构和第二栅极结构之间设置有所述漂移区，在所述第一栅极结构远离所述漂移区的一侧定义出第一源区，在所述第二栅极结构远离所述漂移区的一侧定义出第二源区。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在每个所述阱区中依次进行离子注入形成至少一个N型区和一个P型区包括：

在所述第一源区依次进行离子注入形成第一P型区和第一N型区；

在所述第二源区依次进行离子注入形成第二P型区和第二N型区。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述源区、所述栅极结构和所述漂移区分别形成金属接触对应引出源极电极、栅极电极和漏极电极包括：

分别在所述第一P型区和第一N型区、所述第二P型区和第二N型区上形成金属接触并电连接在一起，对应引出到源极电极；

分别在所述第一栅极结构和第二栅极结构的上表面形成金属接触并电连接在一起，对应引出到栅极电极；

在所述漂移区中所述交叠区的中心区域形成的N型区上形成金属接触对应引出到漏极电极。