[发明专利]半导体机台改造方法以及半导体机台

说明书

本发明提供了一种半导体机台改造方法以及半导体机台，其中所述半导体机台改造方法包括：提供一半导体机台，所述半导体机台具有可上下移动的吸盘以及若干个固定设置的顶针，所述吸盘上具有若干个可供所述顶针穿过的顶针孔，所述吸盘用于承载晶圆；以及，根据待承载的晶圆的厚度调整所述吸盘的厚度。即通过调整吸盘的厚度来达到既可以运行正常厚度的晶圆，还可以运行厚度大于1075微米的厚晶圆，解决了半导体机台无法运行厚晶圆的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体机台改造方法以及半导体机台。

背景技术

半导体集成电路制造中，光刻工艺和刻蚀工艺常反复进行以在待处理基底上形成半导体图形。光刻的基本原理是：利用光致抗蚀剂(或称光阻)曝光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工的晶圆表面上。通常，光刻工艺包括如下步骤：首先在晶圆上旋转涂覆光阻；然后将涂布有光阻的晶圆曝露于某种光源下，如紫外光、电子束或者X-射线，对光阻层进行选择性曝光；接着经过显影工艺，仍保留在晶圆上光阻层就形成了光刻图形，保护着其所覆盖的区域。

光刻工艺需采用光刻机，而为了便于光阻曝光，需要将待承载的晶圆的上表面到达光刻机的焦平面。现有的光刻机运行的晶圆厚度一般为475微米～1075微米，在将晶圆的上表面调整到光刻机的焦平面的过程中，光刻机上的顶针是固定不动的，吸盘可以上下移动，而为了避免所述顶针碰到晶圆的下表面，所述吸盘可以运动的范围为±300微米，晶圆上表面到达焦平面时，吸盘的位置被认为是处于原始位置，则吸盘可以运动的范围为±300微米表示吸盘可以在原始位置的基础上各上下移动300微米，即吸盘的运动行程为300微米。现有技术中的晶圆厚度通常是475微米～1075微米，如果晶圆厚度超过上述范围，吸盘的运动范围就会超过限制，导致半导体机台报警。

而在半导体的某些特殊工艺中，有可能需要运行厚晶圆，进入光刻机的晶圆厚度有可能需要超过1075微米，完成多晶圆堆叠的晶圆厚度超过1075微米，但是现有的半导体机台如光刻机不支持运行该厚度的待承载的晶圆。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体机台改造方法以及半导体机台，以解决半导体机台无法运行厚晶圆的问题。

为实现上述目的以及其他相关目的，本发明提供一种半导体机台改造方法，包括：

提供一半导体机台，所述半导体机台具有可上下移动的吸盘以及若干个固定设置的顶针，所述吸盘上具有若干个可供所述顶针穿过的顶针孔，所述吸盘用于承载晶圆；

所述半导体机台具有焦平面，所述晶圆的上表面能够到达所述焦平面，保持所述吸盘的运动行程不变，当待承载的晶圆的厚度大于或等于原始厚度，所述吸盘的厚度减小△H1为：

△H1≤W+H3^*-H3

其中，H3为晶圆的原始厚度，H3^*为待承载的晶圆的厚度，W为所述吸盘的运动行程，吸盘的原始厚度为11.7mm。

可选地，所述顶针的高度减小△H2为：

△H1-h1+W△H2W+W_max-h1

其中，W_max为所述吸盘的最大运动行程，h1为原始顶针与原始厚度的晶圆的下表面的距离。

可选地，所述半导体机台的所述吸盘的运动行程W为300μm，则所述吸盘的厚度减小△H1为0～300μm。

可选地，所述顶针的高度减小△H2为250μm～450μm。

可选地，所述半导体机台设置有运载所述待承载的晶圆的机械手臂。

可选地，所述半导体机台设置有提供吸盘真空吸力的真空泵。

可选地，所述半导体机台设置有软件控制程序。