[发明专利]半导体机台改造方法以及半导体机台在审
| 申请号： | 202010922802.3 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112018020A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 陈帮;黄宇恒 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 机台 改造 方法 以及 | ||
1.一种半导体机台改造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体机台，所述半导体机台具有可上下移动的吸盘以及若干个固定设置的顶针，所述吸盘上具有若干个可供所述顶针穿过的顶针孔，所述吸盘用于承载晶圆；
所述半导体机台还具有焦平面，所述晶圆的上表面能够到达所述焦平面，保持所述吸盘的运动行程不变，当待承载的晶圆的厚度大于或等于原始厚度，所述吸盘的厚度减小△H1为：
△H1≤W+H3*-H3
其中，H3为晶圆的原始厚度，H3*为待承载的晶圆的厚度，W为所述吸盘的运动行程，吸盘的原始厚度为11.7mm。
2.如权利要求1所述的半导体机台改造方法，其特征在于，所述顶针的高度减小△H2为：
△H1-h1+W△H2W+Wmax-h1
其中，Wmax为所述吸盘的最大运动行程，h1为原始顶针与原始厚度的晶圆的下表面的距离。
3.如权利要求1所述的半导体机台改造方法，其特征在于，所述半导体机台的所述吸盘的运动行程W为300μm，则所述吸盘的厚度减小△H1为0～300μm。
4.如权利要求2所述的半导体机台改造方法，其特征在于，所述顶针的高度减小△H2为250μm～450μm。
5.如权利要求1所述的半导体机台改造方法，其特征在于，所述半导体机台设置有运载所述待承载的晶圆的机械手臂。
6.如权利要求1所述的半导体机台改造方法，其特征在于，所述半导体机台设置有提供吸盘真空吸力的真空泵。
7.如权利要求1所述的半导体机台改造方法，其特征在于，所述半导体机台设置有软件控制程序。
8.如权利要求1所述的半导体机台改造方法，其特征在于，所述顶针的一部分一直位于所述吸盘中。
9.一种半导体机台，其特征在于，采用权利要求1～8中任一项所述的半导体机台改造方法进行改造。
10.如权利要求9所述的半导体机台，其特征在于，所述半导体机台为光刻机。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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