[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010921579.0 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN114141698A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 尹佳山;周祖源;薛兴涛;林正忠 | 申请（专利权）人： | 盛合晶微半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供Si衬底；
图形化所述Si衬底，以形成沟槽；
于所述沟槽中形成绝缘层，以覆盖所述沟槽的底部及侧壁；
形成Cu柱，以填充所述沟槽；
进行平坦化，以显露所述Si衬底、绝缘层及Cu柱；
干法刻蚀所述Si衬底，使得所述Si衬底与所述绝缘层具有第一高度差；
进行湿法处理，去除Cu金属残留以及部分所述Cu柱，以使所述Cu柱与所述绝缘层具有第二高度差，且所述第一高度差大于所述第二高度差；
形成钝化层，以覆盖所述Si衬底、绝缘层及Cu柱。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述湿法处理所采用的处理液包括与Cu金属进行化学反应的酸性溶液，所述酸性溶液包括H2O2、H3PO4及H2SO4中的一种或混合溶液。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一高度差的范围包括2μm～5μm，所述第二高度差的范围包括0.1μm～0.5μm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述平坦化包括机械研磨及化学机械研磨中的一种或组合。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：形成所述绝缘层之后及形成所述Cu柱之前，还包括形成金属种子层的步骤。
6.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：Si衬底、绝缘层、Cu柱及钝化层，其中，所述Cu柱位于所述Si衬底中，所述绝缘层包覆所述Cu柱的侧壁及底部并与所述Si衬底相接触，所述钝化层覆盖所述Si衬底、绝缘层及Cu柱，且所述Si衬底与所述绝缘层具有第一高度差，所述Cu柱与所述绝缘层具有第二高度差，且所述第一高度差大于所述第二高度差。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于：所述第一高度差的范围包括2μm～5μm。
8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于：所述第二高度差的范围包括0.1μm～0.5μm。
9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于：所述绝缘层与所述Cu柱之间还包括金属种子层，且所述金属种子层与所述Cu柱具有相同高度。
10.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于：所述绝缘层包括SiO2层及Si3N4层中的一种或组合；所述钝化层包括SiO2层及Si3N4层中的一种或组合。
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