[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

说明书

本申请提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，该制造方法可以包括，提供衬底，衬底上形成有绝缘层和栅极层交替层叠的堆叠层，堆叠层的侧壁为台阶结构，台阶结构上依次形成有第一介质层和第二介质层，第一介质层的上表面沿着台阶结构设置，第二介质层的上表面沿衬底平面方向，因此不同位置的第一介质层的厚度基本一致，而第二介质层的厚度不同，以第一介质层为刻蚀停止层，在台阶结构处对第二介质层进行刻蚀，以形成台阶接触开口，之后可以对台阶接触开口底部的第一介质层进行刻蚀，避免在台阶面远离衬底的位置对介质层刻蚀过量导致对栅极层的损伤，或者在台阶面靠近衬底的位置对介质层刻蚀不够导致栅极层未被暴露出来，实现栅极层的可靠的引出。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种3D NAND存储器件及其制造方法。

背景技术

在3D NAND存储器件结构中，采用垂直堆叠多层栅极的方式，堆叠层的中心区域为核心存储区、边缘区域为台阶结构，核心存储区用于形成存储单元串，堆叠层中的栅极层作为每一层存储单元的栅线，栅线通过台阶上的接触引出，从而实现堆叠式的3D NAND存储器件。

具体的，台阶结构上可以形成有介质层，对介质层进行刻蚀可以得到贯穿至台阶结构的台阶接触孔，台阶接触孔可以暴露台阶结构中的栅极层，这样在台阶接触孔中填充导电材料后，可以形成台阶接触孔中的引出线，从而实现台阶处栅线的引出。然而，实际操作中，在对介质层进行刻蚀得到台阶接触孔的过程中，可能会对栅极层造成损伤，在栅极层较薄时，可能穿透栅极层甚至导致不同的栅极层之间错误连接，影响器件性能。如何实现可靠的栅极引出，是本领域一个重要的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，有效控制工艺质量，保证器件性能。

为实现上述目的，本申请有如下技术方案：

一种3D NAND存储器件的制造方法，包括：

提供衬底；所述衬底上形成有绝缘层和栅极层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层的侧壁为台阶结构；所述台阶结构上依次形成有第一介质层和第二介质层，所述第一介质层的上表面沿着所述台阶结构，所述第二介质层的上表面沿衬底平面方向；

以所述第一介质层为刻蚀停止层，在台阶结构处对所述第二介质层进行刻蚀，以形成台阶接触开口；

对所述台阶接触开口底部的第一介质层进行刻蚀，以形成贯穿至所述台阶结构的台阶接触孔。

可选的，所述第一介质层为氮化硅，所述第二介质层为氧化硅。

可选的，所述第二介质层为基于TEOS的氧化硅。

可选的，还包括所述台阶结构和所述第一介质层之间的第三介质层，所述对所述台阶接触开口底部的第一介质层进行刻蚀，以形成贯穿至所述台阶结构的台阶接触孔，包括：

以所述第三介质层为刻蚀停止层，对所述台阶接触开口底部的第一介质层进行刻蚀，以加深所述台阶接触开口；

以所述栅极层为刻蚀停止层，对所述第三介质层，或所述第三介质层和所述绝缘层，进行刻蚀，以形成贯穿至所述台阶结构的台阶接触孔。

可选的，所述第三介质层为高密度等离子体氧化硅或原子层沉积氧化硅。

可选的，在形成所述台阶接触孔之后，还包括：

在所述台阶接触孔中形成台阶接触部。

本申请实施例还提供了一种3D NAND存储器件，包括：

衬底；