[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；所述衬底上形成有绝缘层和栅极层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层的侧壁为台阶结构；所述台阶结构上依次形成有第一介质层和第二介质层，所述第一介质层的上表面沿着所述台阶结构，所述第二介质层的上表面沿衬底平面方向；

以所述第一介质层为刻蚀停止层，在台阶结构处对所述第二介质层进行刻蚀，以形成台阶接触开口；

对所述台阶接触开口底部的第一介质层进行刻蚀，以形成贯穿至所述台阶结构的台阶接触孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层为氮化硅，所述第二介质层为氧化硅。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二介质层为基于TEOS的氧化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括所述台阶结构和所述第一介质层之间的第三介质层，所述对所述台阶接触开口底部的第一介质层进行刻蚀，以形成贯穿至所述台阶结构的台阶接触孔，包括：

以所述第三介质层为刻蚀停止层，对所述台阶接触开口底部的第一介质层进行刻蚀，以加深所述台阶接触开口；

以所述栅极层为刻蚀停止层，对所述第三介质层，或所述第三介质层和所述绝缘层，进行刻蚀，以形成贯穿至所述台阶结构的台阶接触孔。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三介质层为高密度等离子体氧化硅或原子层沉积氧化硅。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，在形成所述台阶接触孔之后，还包括：

在所述台阶接触孔中形成台阶接触部。

7.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

所述衬底上的绝缘层和栅极层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层的侧壁为台阶结构；所述台阶结构上依次形成有第一介质层和第二介质层，以及贯穿所述第一介质层和所述第二介质层的台阶接触部，所述第一介质层的上表面沿着所述台阶结构，所述第二介质层的上表面沿衬底平面方向。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其特征在于，所述第一介质层为氮化硅，所述第二介质层为氧化硅。

9.根据权利要求7所述的存储器件，其特征在于，还包括所述台阶结构和所述第一介质层之间的第三介质层，所述台阶接触部贯穿所述第三介质层。

10.根据权利要求9所述的存储器件，其特征在于，所述第三介质层为高密度等离子体氧化硅或原子层沉积氧化硅。