[发明专利]一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010919591.8 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN114142343A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 刘飞;于军;邓桃;赵凯迪 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/34;H01S5/343;C23C16/02;C23C16/30 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 优化 渐变 波导 功率 algainp 红光 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
1.一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器件，其特征在于，所述器件包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、(Al1-x1Gax1)y1In1-y1P渐变下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、(Al1-x5Gax5)y3In1-y3P渐变上波导层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、上过渡层和帽层；
其中，0.05≤x1≤0.6，0.4≤y1≤0.6；0.05≤x5≤0.6，0.4≤y3≤0.6；
其中，(Al1-x1Gax1)y1In1-y1P及(Al1-x5Gax5)y3In1-y3P组分渐变；(Al1-x1Gax1)y1In1-y1P渐变下波导层组分渐变，x1由低值渐变至高值；(Al1-x5Gax5)y3In1-y3P渐变上波导层由三部分组成，从下到上依次为(Al1-a1Gaa1)b1In1-b1P、(Al1-a2Gaa2)b2In1-b2P、(Al1-a3Gaa3)b3In1-b3P，其中(Al1-a1Gaa1)b1In1-b1P、(Al1-a3Gaa3)b3In1-b3P组分渐变，a1由高值渐变至中间值，a3由中间值渐变至低值，而(Al1-a2Gaa2)b2In1-b2P组分稳定，a2取值固定，a1、a2、a3在x5的范围内，b1、b2、b3在y3的范围内。
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