[发明专利]一种研磨液流量控制方法、装置、设备及可读存储介质有效
| 申请号: | 202010917297.3 | 申请日: | 2020-09-03 |
| 公开(公告)号: | CN112247826B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
| 发明(设计)人: | 刘志伟;尹影;周庆亚;崔凯;贾若雨;李久芳;孟晓云 | 申请(专利权)人: | 北京烁科精微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | B24B37/005 | 分类号: | B24B37/005;B24B57/02;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 马永芬 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 研磨 流量 控制 方法 装置 设备 可读 存储 介质 | ||
本发明公开了一种研磨液流量控制方法、装置、设备及可读存储介质,其中,该方法包括:获取机械臂的运动参数;根据机械臂的运动参数,确定机械臂的位置数据;根据位置数据确定目标研磨液流量。通过实施本发明,避免了机械臂摆动到固定位置后按照设定流出相应的研磨液,由抛光盘自身的转动将研磨液分布到抛光盘上而导致的分布不均匀,实现了研磨液在抛光盘上均匀分布,保证了研磨效果,减少了研磨液消耗。
技术领域
本发明涉及化学机械抛光技术领域,具体涉及一种研磨液流量控制方法、装置、设备及可读存储介质。
背景技术
集成电路制造工艺过程通常是指将导体、半导体、绝缘层以一定的工艺顺序沉积在特定的基板上(如硅基晶圆)。在制造工艺过程中,首先需要化学机械抛光(ChemicalMechanical Polishing,CMP)设备对晶圆膜沉积工艺后的微观粗糙表面进行全局平坦化处理,以便进行后续的半导体工艺过程。因此,采用CMP技术进行全局平坦化处理尤为重要。现在CMP技术主要采用机械臂摆动到固定位置进行研磨液滴落,当机械臂摆动到固定位置后按照设定好的工艺参数流出相应流量的研磨液,随着抛光盘和抛光头的相互转动,对晶圆进行抛光处理。然而,这种方法完全时依靠抛光盘自身的转动将研磨液分布到抛光盘上,导致抛光盘上研磨液分布不均,进而导致晶圆质量不一,增加了研磨液的消耗以及生产成本。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的研磨液流量控制方法存在研磨液在抛光盘上分布不均而导致晶圆质量不一的问题,从而提供一种研磨液流量控制方法、装置、设备及可读存储介质。
根据第一方面,本发明实施例提供一种研磨液流量控制方法,包括:获取机械臂的运动参数;根据所述机械臂的运动参数,确定所述机械臂的位置数据;根据所述位置数据确定目标研磨液流量。
结合第一方面,在第一方面的第一实施方式中,所述运动参数包括机械臂的摆动范围和机械臂的摆动频率。
结合第一方面,在第一方面的第二实施方式中,所述根据所述位置数据确定目标研磨液流量,包括:根据第一函数关系式,确定所述机械臂在当前位置的所述目标研磨液流量。
结合第一方面第二实施方式,在第一方面的第三实施方式中,所述第一函数关系式的确定方法包括:获取所述机械臂在摆动中的多个位置点以及与多个位置点所对应的多个初始研磨液流量;根据所述多个位置点与多个所述初始研磨液流量之间的关系,确定第一函数关系式。
结合第一方面,在第一方面的第四实施方式中,所述研磨液流量控制方法还包括:根据第二函数关系式对所述目标研磨液流量进行校正。
结合第一方面第四实施方式,在第一方面的第五实施方式中,所述第二函数关系式的确定方法包括:获取所述机械臂在当前位置的实际研磨液流量,以及抛光盘的反馈研磨液流量;根据所述反馈研磨液流量、所述实际研磨液流量和所述目标研磨液流量之间的比例关系,确定第二函数关系式。
结合第一方面第二实施方式,在第一方面的第六实施方式中,所述第一函数关系式为线性关系式或正弦关系。
根据第二方面,本发明实施例提供一种研磨液流量控制装置,包括:获取模块,用于获取机械臂的运动参数;第一确定模块,用于根据所述机械臂的运动参数,确定所述机械臂的位置数据;第二确定模块,用于根据所述位置数据确定目标研磨液流量。
根据第三方面,本发明实施例提供一种计算机设备,包括:存储器和处理器,所述存储器和所述处理器之间互相通信连接,所述存储器中存储有计算机指令,所述处理器通过执行所述计算机指令,从而执行第一方面或第一方面任一实施方式所述的研磨液流量控制方法。
根据第四方面,本发明实施例提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机指令,所述计算机指令用于使所述计算机执行第一方面或第一方面任一实施方式所述的研磨液流量控制方法。
本发明技术方案,具有如下优点:
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