[发明专利]包括电容器的半导体封装件

说明书

包括电容器的半导体封装件。一种半导体封装件包括：设置在基板上方的子半导体封装件，子半导体封装件包括：上表面上具有芯片焊盘的子半导体芯片，围绕子半导体芯片的侧表面的模塑层，以及形成在子半导体芯片和模塑层上方的重分布层，重分布层包括重分布导电层，重分布导电层连接至子半导体芯片的芯片焊盘并延伸到模塑层的边缘，同时在其端部具有重分布焊盘；第一子封装件互连器，其连接至重分布焊盘，以电连接子半导体芯片和基板；电容器，其形成在模塑层中，并且包括第一电极、第二电极以及主体部分，第一电极和第二电极具有分别连接至重分布导电层的上表面。

技术领域

本专利文档涉及半导体封装件，并且更具体地，涉及包括电容器的半导体封装件。

背景技术

近来，对半导体装置的高速操作和大容量数据处理的需求已经增加。为此，需要增加同时向半导体装置发送的信号数量或信号传输速度。

然而，存在的问题在于随着半导体装置以高速操作以及同时发送的信号数量增加，电源/接地噪声增加。因此，当前使用一种向电力传输路径添加用于稳定电源/接地供电的电容器(即，去耦电容器)的方法。

发明内容

在实施方式中，一种半导体封装件可以包括：基板；子半导体封装件，其设置于基板上方，子半导体封装件包括：子半导体芯片，其上表面上具有芯片焊盘；模塑层，其围绕子半导体芯片的侧表面；以及重分布层，其形成在子半导体芯片和模塑层上方，重分布层包括重分布导电层，重分布导电层连接至子半导体芯片的芯片焊盘并延伸到模塑层的边缘，同时在其端部具有重分布焊盘；第一子封装件互连器，其连接至重分布焊盘，以电连接子半导体芯片和基板；电容器，其形成在模塑层中并且包括第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的主体部分，第一电极和第二电极具有分别连接至重分布导电层的上表面；以及至少一个主半导体芯片，其形成在子半导体封装件上方并电连接至基板。

附图说明

图1是例示根据本公开的实施方式的半导体封装件的平面图。

图2是例示图1所示的省略了第一芯片层叠物、第二芯片层叠物以及与第一芯片层叠物和第二芯片层叠物连接的互连器的半导体封装件的一部分的平面图。

图3是例示图1所示的半导体封装件的截面图。

图4是例示图1的子半导体封装件的平面图。

图5是沿着图4的线A2-A2′截取的截面图。

图6是沿着图4的线A3-A3′截取的截面图。

图7A是用于说明根据本公开的实施方式的半导体封装件的效果的示例的图。

图7B是用于说明根据比较例的半导体封装件的效果的图。

图8是例示根据本公开的另一实施方式的半导体封装件的截面图。

图9是例示图8的子半导体封装件的平面图。

图10是沿着图9的线A4-A4′截取的截面图。

图11是沿着图9的线A5-A5′截取的截面图。

图12A是用于说明根据本公开的另一实施方式的半导体封装件的效果的示例的图。

图12B是用于说明根据比较例的半导体封装件的效果的图。

图13是例示根据本公开的另一实施方式的半导体封装件的截面图。

图14是例示根据本公开的另一实施方式的半导体封装件中的子半导体封装件的平面图。

图15是沿着图14的线A6-A6′截取的截面图。

图16是沿着图14的线A7-A7′截取的截面图。