[发明专利]包括电容器的半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，该半导体封装件包括：

基板；

子半导体封装件，所述子半导体封装件设置在所述基板上方，所述子半导体封装件包括：子半导体芯片，所述子半导体芯片的上表面上具有芯片焊盘；模塑层，所述模塑层围绕所述子半导体芯片的侧表面；以及重分布层，所述重分布层形成在所述子半导体芯片和所述模塑层上方，所述重分布层包括重分布导电层，所述重分布导电层连接至所述子半导体芯片的所述芯片焊盘并且延伸到所述模塑层的边缘，同时在所述重分布导电层的端部具有重分布焊盘；

第一子封装件互连器，所述第一子封装件互连器连接至所述重分布焊盘，以电连接所述子半导体芯片和所述基板；

电容器，所述电容器形成在所述模塑层中，并且包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的主体部分，所述第一电极和所述第二电极具有分别连接至所述重分布导电层的上表面；以及

至少一个主半导体芯片，所述至少一个主半导体芯片形成在所述子半导体封装件上方并且电连接至所述基板。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述重分布导电层包括被施加以接地电压的接地重分布导电层和被施加以电源电压的电源重分布导电层，并且

其中，所述第一电极连接至所述接地重分布导电层，并且所述第二电极连接至所述电源重分布导电层。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述重分布导电层还包括至少一个信号重分布导电层，所述至少一个信号重分布导电层位于所述接地重分布导电层与所述电源重分布导电层之间。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述主体部分与所述至少一个信号重分布导电层交叠。

5.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每一者被设置为比所述重分布焊盘更靠近所述芯片焊盘。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述重分布层还包括形成在所述重分布导电层与所述子半导体芯片和所述模塑层的上表面之间的重分布绝缘层，并且

其中，所述重分布导电层通过形成在所述重分布绝缘层中的开口连接至所述芯片焊盘、所述第一电极和所述第二电极。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述子半导体封装件还包括子通孔，所述子通孔在连接至所述第一电极和所述第二电极中的每个的下表面的同时贯穿所述模塑层，并且

其中，所述半导体封装件还包括：

第二子封装件互连器，所述第二子封装件互连器设置在所述模塑层和所述基板之间，所述第二子封装件互连器连接至所述子通孔。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述第一子封装件互连器包括接合布线，并且

其中，所述第二子封装件互连器包括焊球和导电凸块中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的半导体封装件，该半导体封装件还包括：

虚设第二子封装件互连器，所述虚设第二子封装件互连器设置在所述模塑层和所述基板之间，而未连接至所述子通孔。

10.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，第一直流路径穿过所述重分布导电层、所述第一子封装件互连器和所述基板，并且

其中，第二直流路径穿过所述重分布导电层、所述第一电极或所述第二电极、所述子通孔、所述第二子封装件互连器和所述基板。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述子半导体封装件还包括子通孔，所述子通孔贯穿所述模塑层并且具有连接至所述重分布导电层的上表面，并且

其中，所述半导体封装件还包括：

第二子封装件互连器，所述第二子封装件互连器设置在所述模塑层和所述基板之间，所述第二子封装件互连器连接至所述子通孔。