[发明专利]一种晶圆级芯片封装结构以及封装方法

说明书

本发明公开了一种晶圆级芯片封装结构以及封装方法，该结构包括：晶圆，晶圆具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，晶圆内集成有多个芯片单元，第一表面设置有至少一个金属衬垫和内部绝缘层，内部绝缘层具有至少一个开口结构，开口结构露出部分或全部金属衬垫，金属衬垫与芯片单元电连接，第二表面设置有至少一个凹槽；增粘层，增粘层设置在凹槽内，增粘层和第二表面平齐；晶圆包括至少一个通孔，通孔暴露部分或全部金属衬垫；布线层，设置在第二表面，覆盖增粘层以及通孔的底面和侧面。本发明实施例提供的技术方案，增加了晶圆级芯片封装结构中布线层以及布线层远离晶圆一侧的结构与晶圆之间的粘结强度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆级芯片封装结构以及封装方法。

背景技术

目前，晶圆级芯片尺寸封装是集成电路封装方式中的一种，它是一种先将整片晶片进行封装，再切割得到单粒芯片的封装方法。

现有的晶圆级芯片封装结构中，布线层以及布线层远离晶圆一侧的结构容易发生分层现象。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种晶圆级芯片封装结构以及封装方法，增加了晶圆级芯片封装结构中布线层以及布线层远离晶圆一侧的结构与晶圆之间的粘结强度。

本发明实施例提供了一种晶圆级芯片封装结构，包括：

晶圆，所述晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述晶圆内集成有多个芯片单元，所述第一表面设置有至少一个金属衬垫和内部绝缘层，所述内部绝缘层具有至少一个开口结构，所述开口结构露出部分或全部所述金属衬垫，所述金属衬垫与所述芯片单元电连接，所述第二表面设置有至少一个凹槽；

增粘层，所述增粘层设置在所述凹槽内，所述增粘层和所述第二表面平齐；所述晶圆包括至少一个通孔，所述通孔暴露部分或全部所述金属衬垫；

布线层，设置在所述第二表面，覆盖所述增粘层以及所述通孔的底面和侧面。

可选地，所述凹槽的深度大于或等于0.1微米，且小于或等于100微米。

可选地，所述凹槽的横截面形状包括矩形或者圆形。

可选地，所述凹槽的纵截面形状包括倒梯形或者弧形。

可选地，所述布线层包括叠层设置的种子层和背金层。

可选地，所述金属衬垫包括接地金属衬垫和信号金属衬垫，所述开口结构露出所述接地金属衬垫。

可选地，所述晶圆的厚度大于或等于20微米，且小于或等于500微米。

本发明实施例还提供了一种晶圆级芯片封装方法，包括：

提供晶圆，所述晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述晶圆内集成有多个芯片单元，所述第一表面设置有至少一个金属衬垫和内部绝缘层，所述绝缘层具有至少一个开口结构，所述开口结构露出部分或全部所述金属衬垫，所述金属衬垫与所述芯片单元电连接，所述第二表面设置有至少一个凹槽；

在所述凹槽内形成增粘层，所述增粘层和所述第二表面平齐；

在所述晶圆内形成至少一个通孔，所述通孔暴露部分或全部所述金属衬垫；

在所述第二表面形成布线层，所述布线层覆盖所述增粘层以及所述通孔的底面和侧面。

可选地，提供晶圆之前包括：

在所述晶圆的第一表面临时键合支撑基板，所述支撑基板用于支撑所述晶圆；

对所述晶圆与所述第一表面相对的表面进行减薄处理，得到所述第二表面。