[发明专利]一种晶圆级芯片封装结构以及封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，包括：

晶圆，所述晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述晶圆内集成有多个芯片单元，所述第一表面设置有至少一个金属衬垫和内部绝缘层，所述内部绝缘层具有至少一个开口结构，所述开口结构露出部分或全部所述金属衬垫，所述金属衬垫与所述芯片单元电连接，所述第二表面设置有至少一个凹槽；

增粘层，所述增粘层设置在所述凹槽内，所述增粘层和所述第二表面平齐；所述晶圆包括至少一个通孔，所述通孔暴露部分或全部所述金属衬垫；

布线层，设置在所述第二表面，覆盖所述增粘层以及所述通孔的底面和侧面。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述凹槽的深度大于或等于0.1微米，且小于或等于100微米。

3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述凹槽的横截面形状包括矩形或者圆形。

4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述凹槽的纵截面形状包括倒梯形或者弧形。

5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述布线层包括叠层设置的种子层和背金层。

6.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述金属衬垫包括接地金属衬垫和信号金属衬垫，所述开口结构露出所述接地金属衬垫。

7.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述晶圆的厚度大于或等于20微米，且小于或等于500微米。

8.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，所述晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述晶圆内集成有多个芯片单元，所述第一表面设置有至少一个金属衬垫和内部绝缘层，所述绝缘层具有至少一个开口结构，所述开口结构露出部分或全部所述金属衬垫，所述金属衬垫与所述芯片单元电连接，所述第二表面设置有至少一个凹槽；

在所述凹槽内形成增粘层，所述增粘层和所述第二表面平齐；

在所述晶圆内形成至少一个通孔，所述通孔暴露部分或全部所述金属衬垫；

在所述第二表面形成布线层，所述布线层覆盖所述增粘层以及所述通孔的底面和侧面。

9.根据权利要求8所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，提供晶圆之前包括：

在所述晶圆的第一表面临时键合支撑基板，所述支撑基板用于支撑所述晶圆；

对所述晶圆与所述第一表面相对的表面进行减薄处理，得到所述第二表面。

10.根据权利要求9所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于，在所述第二表面形成布线层，所述布线层覆盖所述增粘层以及所述通孔的底面和侧面步骤之后还包括：

去除所述支撑基板；

对所述晶圆进行切割，得到单颗芯片。