[发明专利]太阳能电极模具的生产方法、设备与计算机可读存储介质有效
申请号: | 202010908576.3 | 申请日: | 2020-09-01 |
公开(公告)号: | CN112018197B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 陈飞;詹兴华;章锡武;陆献忠 | 申请(专利权)人: | 深圳纳弘熠岦光学科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 关向兰 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区福*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 电极 模具 生产 方法 设备 计算机 可读 存储 介质 | ||
1.一种太阳能电极模具的生产方法,其特征在于,所述太阳能电极模具的生产方法包括如下步骤:
确定电极的电池栅线的排布微观形貌,并基于所述排布微观形貌,确定所述电极的模具图像;
基于所述模具图像,制作所述电极对应的曝光掩膜版;
选择基材,并基于所述曝光掩膜版和所述基材,制作所述电极的母模;
选择第一胶材,并基于所述母模和所述胶材,制作所述电极的子模;
选择第二胶材,并基于所述子模和所述第二胶材,制作所述电极的生产模具;所述第一胶材和所述第二胶材采用成型不形变的材料制得,以保证所述生产模具的成型度。
2.如权利要求1所述的太阳能电极模具的生产方法,其特征在于,所述确定电极的电池栅线的排布微观形貌的步骤包括:
基于预设光学模型,模拟入射光在所述电极表面的散射光及透射光;
基于所述入射光、所述散射光和所述透射光,确定所述电极的电池栅线的形状,并确定所述电池栅线的排布信息;
基于所述形状和所述排布信息,确定所述电池栅线的排布微观形貌。
3.如权利要求2所述的太阳能电极模具的生产方法,其特征在于,所述基于所述入射光和所述散射光,确定所述电极的电池栅线的形状,并确定所述电池栅线的排布信息的步骤包括:
基于所述入射光和所述散射光,模拟所述电极的吸光效率,并基于所述吸光效率,确定所述电极的电池栅线的形状;
确定所述电极对应的光生载流子的移动信息和衰减距离,并基于所述移动信息和所述衰减距离,确定所述电池栅线的排布信息。
4.如权利要求1所述的太阳能电极模具的生产方法,其特征在于,所述基于所述曝光掩膜版和所述基材,制作所述电极的母模的步骤包括:
确定所述电池栅线的深度,并基于所述深度,确定光刻胶的涂胶厚度和涂旋速度;
基于所述涂胶厚度和涂旋速度,在所述基材上涂上所述光刻胶,并进行烘干;
基于所述曝光掩膜版,对烘干后的基材进行曝光,以得到所述电极的母模;
或者,
基于所述排布微观形貌,对烘干后的基材进行激光曝光并显影,以得到所述电极的母模。
5.如权利要求4所述的太阳能电极模具的生产方法,其特征在于,所述基于所述曝光掩膜版,对烘干后的基材进行曝光,以得到所述电极的母模的步骤包括:
基于所述曝光掩膜版,选择光源,并确定所述光源的曝光剂量,其中,所述光源为汞灯或者LED灯;
使用所述光源、所述掩膜版和所述曝光剂量,对烘干后的基材进行曝光,以得到所述电极的母模。
6.如权利要求1所述的太阳能电极模具的生产方法,其特征在于,所述选择第一胶材的步骤包括:
确定所述电极对应的银浆的粘稠程度,并基于所述粘稠程度,确定对应的弹性和离型力;
基于所述弹性和所述离型力,选择第一胶材。
7.如权利要求1至6任一项所述的太阳能电极模具的生产方法,其特征在于,所述选择第二胶材,并基于所述子模和所述第二胶材,制作所述电极的生产模具的步骤包括:
选择第二胶材,将所述第二胶材涂抹在所述子模上,并进行离型处理,固化得到单枚生产模具;
基于预设拼版方式和所述单枚生产模具,制作拼版模具,并基于所述拼版模具,制作所述电极的生产模具。
8.如权利要求7所述的太阳能电极模具的生产方法,其特征在于,所述单枚生产模具的数量包括多枚,所述基于预设拼版方式和所述单枚生产模具,制作拼版模具,并基于所述拼版模具,制作所述电极的生产模具的步骤包括:
将所述单枚生产模具镶入预设外框,以得到拼版模具;
复制所述拼版模具,以得到所述电极的生产模具。
9.一种生产设备,其特征在于,所述生产设备包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的太阳能电极模具的生产程序,所述太阳能电极模具的生产程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至8中任一项所述的太阳能电极模具的生产方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有太阳能电极模具的生产程序,所述太阳能电极模具的生产程序被处理器执行时实现如权利要求1至8中任一项所述的太阳能电极模具的生产方法的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳纳弘熠岦光学科技有限公司,未经深圳纳弘熠岦光学科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010908576.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种秸秆燃烧发电优化工艺
- 下一篇:端部具有封闭箍筋的网片生产工艺及生产线
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的