[发明专利]一种LED芯片的封装方法

说明书

本发明提出一种LED芯片的封装方法，包括以下步骤：S1提供排布在载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的LED芯片之间具有第一间隙；S2在LED芯片的矩阵阵列上涂覆荧光胶，使荧光胶填充第一间隙，以及覆盖LED芯片的顶面；S3烘干固化所述荧光胶得到荧光膜层；S4切割LED芯片的矩阵阵列，使LED芯片之间产生第二间隙；S5在LED芯片的矩阵阵列上涂覆色剂胶，使色剂胶覆盖所述荧光膜层以及填充第二间隙；S6烘干固化所述色剂胶得到色剂膜层；S7切割LED芯片的矩阵阵列，得到LED芯片封装件。本发明可应用于彩色LED芯片的制备，以提高不同颜色的LED芯片出光的光效。

技术领域

本发明涉及一种LED芯片的封装方法。

背景技术

在LED灯的制作过程中，需要对LED芯片进行封装。LED二极管的光线激发封装胶层内的荧光粉发出的光为白光，要使LED芯片发出其他颜色的光需在封装胶的制备过程中，将荧光粉、色剂和胶水混合调配出合适的颜色，再涂覆在LED芯片上烘干固化。该种方式，混合或固化过程容易出现荧光粉和色剂分布不均的情况，导致最终出光效果差，且色剂与荧光粉混合后的出光颜色与色剂本身的颜色比会出现偏差，调配修正过程繁杂，影响生产效率。

发明内容

为克服现有技术的不足，本发明提出一种LED芯片的封装方法，应用于彩色LED芯片的制备，以提高不同颜色的LED芯片出光的光效。

本发明提出一种LED芯片的封装方法，包括以下步骤：

S1、提供载体，以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的所述LED芯片之间具有第一间隙；

S2、在LED芯片的矩阵阵列上涂覆荧光胶，使荧光胶填充所述第一间隙，以及覆盖LED芯片的顶面；

S3、烘干固化所述荧光胶得到荧光膜层；

S4、切割所述LED芯片的矩阵阵列，使LED芯片之间产生第二间隙，切割后LED芯片的四侧以及顶侧包覆所述荧光膜层；

S5、在LED芯片的矩阵阵列上涂覆色剂胶，使色剂胶覆盖所述荧光膜层以及填充所述第二间隙；

S6、烘干固化所述色剂胶得到色剂膜层；

S7、切割所述LED芯片的矩阵阵列，得到LED芯片封装件。

作为本发明的进一步方案，所述烘干固化操作在加热模具内进行，所述加热模具包括上加热模和下加热模；所述载体置于下加热模具内，烘干固化时，所述上加热模具的底面压在LED芯片的矩阵阵列上。

作为本发明的进一步方案，步骤S3和S6的烘干固化条件为：上加热模的温度为145-155℃；下加热膜的温度为95-120℃。

作为本发明的进一步方案，所述荧光胶的制备方法包括以下步骤：

称取85～115重量份的AB胶、76～83重量份的荧光粉、0.3～0.8重量份的防沉降粉和1～3重量份的扩散粉，混合搅拌均匀后真空脱泡。

作为本发明的进一步方案，所述防沉降粉包括纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅，所述纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅的质量比为1：2：4。

作为本发明的进一步方案，所述扩散粉为由粒径是1.0μm和2.0μm的两种有机硅扩散剂按1：1的比例混合而成的粉体。

作为本发明的进一步方案，所述色剂胶的制备方法包括以下步骤：

称取85～115重量份的AB胶和10-20重量份的色剂，混合搅拌均匀后真空脱泡。

作为本发明的进一步方案，所述LED芯片为蓝光LED芯片，所述荧光粉为黄色荧光粉。

与现有技术对比，本发明的优异性体现在：