[发明专利]一种LED芯片的封装方法

权利要求书

1.一种LED芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供载体，以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的所述LED芯片之间具有第一间隙；

S2、在LED芯片的矩阵阵列上涂覆荧光胶，使荧光胶填充所述第一间隙，以及覆盖LED芯片的顶面；

S3、烘干固化所述荧光胶得到荧光膜层；

S4、切割所述LED芯片的矩阵阵列，使LED芯片之间产生第二间隙，切割后LED芯片的四侧以及顶侧包覆所述荧光膜层；

S5、在LED芯片的矩阵阵列上涂覆色剂胶，使色剂胶覆盖所述荧光膜层以及填充所述第二间隙；

S6、烘干固化所述色剂胶得到色剂膜层；

S7、切割所述LED芯片的矩阵阵列，得到LED芯片封装件。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的封装方法，其特征在于，所述烘干固化操作在加热模具内进行，所述加热模具包括上加热模和下加热模；所述载体置于下加热模具内，烘干固化时，所述上加热模具的底面压在LED芯片的矩阵阵列上。

3.根据权利要求2所述的LED芯片的封装方法，其特征在于，步骤S3和S6的烘干固化条件为：上加热模的温度为135-150℃；下加热膜的温度为95-120℃。

4.根据权利要求1所述的LED芯片的封装方法，其特征在于，所述荧光胶的制备方法包括以下步骤：

称取85～115重量份的AB胶、76～83重量份的荧光粉、0.3～0.8重量份的防沉降粉和1～3重量份的扩散粉，混合搅拌均匀后真空脱泡。

5.根据权利要求4所述的LED芯片的封装方法，其特征在于，所述防沉降粉包括纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅，所述纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅的质量比为1：2：4。

6.根据权利要求4所述的LED芯片的封装方法，其特征在于，所述扩散粉为由粒径是1.0μm和2.0μm的两种有机硅扩散剂按1：1的比例混合而成的粉体。

7.根据权利要求1所述的LED芯片的封装方法，其特征在于，所述色剂胶的制备方法包括以下步骤：

称取85～115重量份的AB胶和10-20重量份的色剂，混合搅拌均匀后真空脱泡。

8.根据权利要求1-7任一项所述的LED芯片的封装方法，其特征在于，所述LED芯片为蓝光LED芯片，所述荧光粉为黄色荧光粉。