[发明专利]一种LED芯片的封装工艺

说明书

本发明提出一种LED芯片的封装工艺，包括以下步骤：S1、提供载体，以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的所述LED芯片之间具有间隙；S2、采用防沉降荧光胶填充所述间隙，所述防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度，烘干固化所述防沉降荧光胶；S3、于所述LED芯片的矩阵阵列上涂覆速干型荧光胶，以覆盖在LED芯片的顶面，烘干固化所述速干型荧光胶；S4、在固化后的速干型荧光胶上复合AB胶保护膜；S5、切割所述LED芯片的矩阵阵列，得到LED芯片封装件。通过本发明的LED芯片的封装工艺制备得到的LED芯片封装件，可改善LED芯片的荧光胶层出现荧光粉沉降的情况。

技术领域

本发明涉及一种LED芯片的封装工艺。

背景技术

在LED灯的制作过程中，需要对LED芯片进行封装。封装后的LED芯片有单面(顶面)发光和多面发光等类型，对于多面发光的LED芯片需要对其四侧面和顶面进行荧光胶涂覆，但是同时涂覆五个发光面，在压平固化过程，容易出现荧光粉向四侧底部沉降的情况，导致出光不均，光效弱，底部出现黄边的情况，严重影响产品质量。

发明内容

为克服现有技术的不足，本发明提出一种LED芯片的封装工艺，可改善LED芯片的荧光胶层出现荧光粉沉降的情况。

本发明提出一种LED芯片的封装工艺，包括以下步骤：

S1、提供载体，以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的所述LED芯片之间具有间隙；

S2、采用防沉降荧光胶填充所述间隙，所述防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度，烘干固化所述防沉降荧光胶；

S3、于所述LED芯片的矩阵阵列上涂覆速干型荧光胶，以覆盖在LED芯片的顶面，烘干固化所述速干型荧光胶；

S4、在固化后的速干型荧光胶上复合AB胶保护膜；

S5、切割所述LED芯片的矩阵阵列，得到LED芯片封装件。

作为本发明的优选方案，步骤S2的烘干固化的条件为100-120℃的温度下，预热0.15-0.20小时，然后升温至125-150℃，烘干固化2.5-3.5小时。

作为本发明的优选方案，步骤S3的烘干固化条件为在138-150℃的温度下，烘干固化0.8-1.5小时。

作为本发明的优选方案，所述烘干固化操作在加热模具内进行，所述加热模具包括上模和下模。

作为本发明的优选方案，步骤S2防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度为通过以下操作进行：在LED芯片的矩阵阵列上涂覆所述防沉降荧光胶，通过第一压板压在防沉降荧光胶上使其流动填充所述间隙，且不超过LED芯片的顶面。

作为本发明的优选方案，所述速干型荧光胶涂覆后，通过第二压板压平后再进行固化。

作为本发明的优选方案，所述防沉降荧光胶由85～115重量份的AB胶、76～83重量份的荧光粉、0.3～0.8重量份的防沉降粉、1～3重量份的扩散粉混合制得。

作为本发明的优选方案，所述防沉降粉包括纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅，所述纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅的用量比为1：2：4。

作为本发明的优选方案，所述速干型荧光胶由85～115重量份的AB胶、76～83重量份的荧光粉和150～280重量份的稀释剂混合制得。

作为本发明的优选方案，所述稀释剂为二甲苯。

与现有技术对比，本发明的优异性体现在：