[发明专利]一种LED芯片的封装工艺有效

专利信息
申请号: 202010907912.2 申请日: 2020-09-02
公开(公告)号: CN111969092B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 麦家通;戴轲 申请(专利权)人: 安晟技术(广东)有限公司
主分类号: H01L33/54 分类号: H01L33/54;H01L33/50;H01L25/075;H01L33/56
代理公司: 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 代理人: 许湘如
地址: 528400 广东省中山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 芯片 封装 工艺
【权利要求书】:

1.一种LED芯片的封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:

S1、提供载体,以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列,相邻的所述LED芯片之间具有间隙;

S2、采用防沉降荧光胶填充所述间隙,所述防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度,烘干固化所述防沉降荧光胶;

S3、于所述LED芯片的矩阵阵列上涂覆速干型荧光胶,以覆盖在LED芯片的顶面,烘干固化所述速干型荧光胶;

S4、在固化后的速干型荧光胶上复合AB胶保护膜;

S5、切割所述LED芯片的矩阵阵列,得到LED芯片封装件;

所述防沉降荧光胶由85~115重量份的AB胶、76~83重量份的荧光粉、0.3~0.8重量份的防沉降粉、1~3重量份的扩散粉混合制得;

所述速干型荧光胶由85~115重量份的AB胶、76~83重量份的荧光粉和150~280重量份的稀释剂混合制得。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺,其特征在于,步骤S2的烘干固化的条件为100-120℃的温度下,预热0.15-0.20小时,然后升温至125-150℃,烘干固化2.5-3.5小时。

3.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺,其特征在于,步骤S3的烘干固化条件为在138-150℃的温度下,烘干固化0.8-1.5小时。

4.根据权利要求1或2或3所述的LED芯片的封装工艺,其特征在于,所述烘干固化操作在加热模具内进行,所述加热模具包括上模和下模。

5.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺,其特征在于,步骤S2防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度为通过以下操作进行:在LED芯片的矩阵阵列上涂覆所述防沉降荧光胶,通过第一压板压在防沉降荧光胶上使其流动填充所述间隙,且不超过LED芯片的顶面。

6.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺,其特征在于,所述速干型荧光胶涂覆后,通过第二压板压平后再进行固化。

7.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺,其特征在于,所述防沉降粉包括纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅,所述纳米硅酸铝、超细硅酸钙和气相二氧化硅的用量比为1:2:4。

8.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺,其特征在于,所述稀释剂为二甲苯。

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