[发明专利]OLED显示面板及其制作方法在审
申请号: | 202010907704.2 | 申请日: | 2020-09-02 |
公开(公告)号: | CN111883574A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 唐甲 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种OLED显示面板及其制作方法,所述OLED显示面板包括显示区以及至少位于所述显示区一侧的绑定区;所述OLED显示面板还包括:基板;第一金属层,设置于所述基板上,且所述第一金属层包括对应所述显示区的遮光金属,以及对应所述绑定区的绑定金属;以及薄膜晶体管器件层,设置于所述第一金属层上,且所述薄膜晶体管器件层包括对应位于所述遮光金属上方的薄膜晶体管以及间隔层,所述间隔层于所述绑定区形成有开口,以暴露所述绑定金属的部分上表面;相比于现有技术,本发明提高了绑定金属的耐腐蚀性和可靠性,提高了OLED显示面板的可靠性和良品率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)显示器作为用于显示图像的显示设备已备受关注,OLED显示器具有自发光特性,并且不采用单独的光源,因此相对于采用单独光源的显示设备更加的薄和轻。
但是,现有技术中,OLED显示器为减少走线阻抗采用Cu走线作为栅极、源极以及漏极等晶体管器件,由于Cu稳定性差,暴露在外部环境时容易氧化,因此不能直接用作绑定金属,目前,常采用阳极ITO层覆盖Cu,以提高绑定金属的稳定性,但是,对于顶发光OLED显示器中,在对反射金属层(Ag或Al)进行蚀刻时,绑定金属中的Cu容易被蚀刻液所腐蚀,进而使得由ITO层覆盖Cu所得到的绑定金属的稳定性同样不佳,易受蚀刻液腐蚀,进而影响产品良率。
发明内容
本发明实施例提供一种OLED显示面板及其制作方法,能够解决现有技术中,由于绑定金属在制程中易受蚀刻液腐蚀,在环境中不稳定,进而影响产品良率的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种OLED显示面板,所述OLED显示面板包括显示区以及至少位于所述显示区一侧的绑定区;
所述OLED显示面板还包括:
基板;
第一金属层,设置于所述基板上,且所述第一金属层包括对应所述显示区的遮光金属,以及对应所述绑定区的绑定金属;以及
薄膜晶体管器件层,设置于所述第一金属层上,且所述薄膜晶体管器件层包括对应位于所述遮光金属上方的薄膜晶体管以及间隔层,所述间隔层于所述绑定区形成有开口,以暴露所述绑定金属的部分上表面。
在本发明的一种实施例中,所述第一金属层的材料包括钼钛合金或铝钛合金。
在本发明的一种实施例中,所述薄膜晶体管器件层包括位于所述第一金属层上方的第二金属层,且所述第二金属层包括对应所述显示区的源极和漏极,以及对应所述绑定区的信号走线。
在本发明的一种实施例中,所述源极通过贯穿部分所述间隔层的过孔与所述遮光金属搭接,所述信号走线通过贯穿部分所述间隔层的过孔与所述绑定金属搭接,且所述绑定金属通过所述信号走线与所述薄膜晶体管电连接。
在本发明的一种实施例中,所述OLED显示面板还包括依次设置于所述薄膜晶体管器件层上的间绝缘层、平坦层、阳极和像素定义层,且所述间绝缘层、所述平坦层、所述阳极以及所述像素定义层均与所述开口错开设置,以暴露所述绑定金属的部分上表面。
根据本发明的上述目的,提供一种OLED显示面板的制作方法,所述OLED显示面板包括显示区以及至少位于所述显示区一侧的绑定区,且所述方法包括:
S10、制备第一金属层于基板上,且所述第一金属层包括对应所述显示区的遮光金属,以及对应所述绑定区的绑定金属;以及
S20、制备薄膜晶体管器件层于所述第一金属层上,且所述薄膜晶体管器件层包括对应位于所述遮光金属上方的薄膜晶体管以及间隔层,所述间隔层于所述绑定区形成有开口,以暴露所述绑定金属的部分上表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的