[发明专利]微发光二极管显示基板及其制作方法

说明书

本发明公开了一种微发光二极管显示基板及其制作方法。其包括一衬底基板；设在衬底基板顶面且相互连接的薄膜晶体管和微发光二极管，设在衬底基板的底面的第一金属膜层，并至少形成一扇出电路图案和一侧印焊盘；扇出电路图案与侧印焊盘连接，侧印焊盘通过侧面导线与薄膜晶体管连接。使得显示基板和边框组装后顶面显示像素区域可最大程度的靠近边框，以达到无边框效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及微发光二极管显示器制造技术领域，具体涉及一种微发光二极管显示基板及其制作方法。

背景技术

在显示领域里，如液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光半导体(Organic Light-Emitting Diode，OLED)、发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)屏幕，单一屏幕体越大，制作成本越高(价格/面积)，因此一般的超大屏幕通常采用若干块小的屏幕拼接一起形成，以降低单位面积的成本。由于一般的屏幕都会带有边框，这会导致拼接屏的显示区域带有若干条非显示暗区，降低显示品质。如何降低拼接屏的拼接缝的大小，已经成为业界热门的研究对象。

发明内容

本发明实施例提供一种微发光二极管(Micro LED)显示基板及其制作方法，可以最大限度的降低高解析度屏幕的拼接缝问题，并简化薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板显示面、底面电路的结构。

第一方面，本发明实施例提供一种微发光二极管显示基板，包括：

一衬底基板，具有顶面与底面，

薄膜晶体管，形成于所述衬底基板的顶面；

微发光二极管，设置于所述衬底基板的顶面、且与所述薄膜晶体管连接；以及

第一金属膜层，设置于所述衬底基板的底面，且至少形成一扇出电路图案和一侧印焊盘；

其中，所述第一金属膜层的扇出电路图案与所述侧印焊盘连接，所述侧印焊盘通过设置在所述衬底基板旁边的侧面导线与所述薄膜晶体管连接。

在一些实施例中，所述薄膜晶体管包括第二源极/像素电极、公共阴极、漏极、覆盖所述漏极的第二钝化层和形成在所述第二钝化层之上的黑色矩阵层；其中：所述第二源极/像素电极和所述公共阴极分别与所述微发光二极管连接。在一些实施例中，所述钝化层与所述黑色矩阵层共用一道光罩制程进行自对准图案化形成。

在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括：半导体膜层和遮光层；所述第二源极/像素电极分别与所述微发光二极管、所述半导体膜层和所述遮光层相连接；所述漏极与所述半导体膜层连接。

在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括：

覆盖所述遮光层的绝缘层；

形成在所述半导体膜层之上的第二栅极绝缘层；

形成在所述第二栅极绝缘层之上的第二栅极金属层；以及

至少覆盖所述绝缘层、半导体膜层、第二栅极绝缘层和第二栅极金属层的中间介电层；其中：

所述遮光层形成在所述衬底基板的顶面上；

所述半导体膜层形成在所述绝缘层之上；

所述第二源极/像素电极的第一部分形成于所述中间介电层之上并与所述微发光二极管连接、第二部分贯穿所述中间介电层和所述绝缘层与所述遮光层连接、以及第三部分贯穿所述中间介电层与所述半导体膜层连接；

所述漏极的一部分形成于所述中间介电层之上并由所述第二钝化层覆盖、另一部分贯穿所述中间介电层与所述半导体膜层连接。