[发明专利]微发光二极管显示基板及其制作方法

权利要求书

1.一种微发光二极管显示基板，其特征在于，包括：

一衬底基板，具有顶面与底面；

薄膜晶体管，形成于所述衬底基板的顶面；

微发光二极管，设置于所述衬底基板的顶面、且与所述薄膜晶体管连接；以及

第一金属膜层，设置于所述衬底基板的底面，且至少形成一扇出电路图案和一侧印焊盘；

其中，所述第一金属膜层的扇出电路图案与所述侧印焊盘连接，所述侧印焊盘通过设置在所述衬底基板旁边的侧面导线与所述薄膜晶体管连接。

2.如权利要求1所述的微发光二极管显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括第二源极/像素电极、公共阴极、漏极、覆盖所述漏极的第二钝化层和形成在所述第二钝化层之上的黑色矩阵层；其中：所述第二源极/像素电极和所述公共阴极分别与所述微发光二极管连接。

3.如权利要求2所述的微发光二极管显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：半导体膜层和遮光层；所述第二源极/像素电极分别与所述微发光二极管、所述半导体膜层和所述遮光层相连接；所述漏极与所述半导体膜层连接。

4.如权利要求3所述的微发光二极管显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

覆盖所述遮光层的绝缘层；

形成在所述半导体膜层之上的第二栅极绝缘层；

形成在所述第二栅极绝缘层之上的第二栅极金属层；以及

至少覆盖所述绝缘层、半导体膜层、第二栅极绝缘层和第二栅极金属层的中间介电层；其中：

所述遮光层形成在所述衬底基板的顶面上；

所述半导体膜层形成在所述绝缘层之上；

所述第二源极/像素电极的第一部分形成于所述中间介电层之上并与所述微发光二极管连接、第二部分贯穿所述中间介电层和所述绝缘层与所述遮光层连接、以及第三部分贯穿所述中间介电层与所述半导体膜层连接；

所述漏极的一部分形成于所述中间介电层之上并由所述第二钝化层覆盖、另一部分贯穿所述中间介电层与所述半导体膜层连接。

5.如权利要求4所述的微发光二极管显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第一源极；所述第一源极位于所述衬底基板边缘处、并形成在所述中间介电层之上；所述第一源极通过设置在所述衬底基板旁边的侧面导线与所述第一金属膜层的侧印焊盘连接。

6.如权利要求4所述的微发光二极管显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第一栅极绝缘层和第一栅极金属层；所述第一栅极绝缘层位于所述衬底基板边缘处、并形成在所述绝缘层之上、所述半导体膜层之外；所述第一栅极金属层形成在所述第一栅极绝缘层之上；所述第一栅极金属层通过设置在所述衬底基板旁边的侧面导线与所述第一金属膜层的侧印焊盘连接。

7.一种微发光二极管显示基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤A、在所述衬底基板的底面制备第一金属膜层，并形成至少一扇出电路图案和一侧印焊盘，并使所述扇出电路与所述侧印焊盘相连接；

步骤B、在所述衬底基板的顶面制备薄膜晶体管；

步骤C、将设置在所述衬底基板顶面的微发光二极管连接到所述薄膜晶体管上；以及

步骤D、将薄膜晶体管通过设置在所述衬底基板旁边的侧面导线与所述第一金属膜层的侧印焊盘相连接。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步骤B包括：

步骤b6、形成源漏极金属电极层，并经图案化至少形成漏极，第二源极/像素电极和公共阴极；以及

步骤b7、在所述漏极之上共用一道光罩制程进行自对准图案化形成第二钝化层和黑色矩阵层，使所述第二钝化层覆盖所述漏极，并使所述黑色矩阵层覆盖所述第二钝化层表面；

所述步骤C包括：将微发光二极管绑定在所述第二源极/像素电极和公共阴极上。