[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构在审

专利信息
申请号: 202010899350.1 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN111883442A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 霍炎;涂旭峰 申请(专利权)人: 矽磐微电子(重庆)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/495;H01L25/07;H01L25/00
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 曾莺华
地址: 401331 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 方法 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体封装方法,其特征在于,其包括步骤:

S1:将引线框与多个待封装芯片贴装于载板上,所述待封装芯片的正面朝向所述载板,所述引线框设有镂空区域,所述镂空区域沿厚度方向贯穿所述引线框,多个所述待封装芯片位于所述镂空区域中;

S2:通过包封层覆盖在所述待封装芯片、所述引线框以及露出的所述载板上,且填充于所述引线框的镂空区域内,形成包封结构件,所述包封结构件包括第一表面和以及与所述第一表面相对设置的第二表面,所述待封装芯片的正面和所述引线框的第一面露出于所述第一表面;

S3:在所述包封结构件的第一表面形成再布线结构,所述再布线结构与所述待封装芯片的正面以及所述引线框的第一面均电连接;

S4:将被动件贴装于所述包封结构件的第二表面,且所述被动件与所述引线框相对所述第一面设置的第二面电连接。

2.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,沿厚度方向所述被动件的正投影位于所述引线框的正投影之内。

3.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,

所述引线框的厚度等于所述待封装芯片的厚度,在步骤S4之前,还包括对所述包封结构件的第二表面进行减薄至露出所述待封装芯片的背面、以及所述引线框的第二面。

4.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,在步骤S4之前,还包括:在所述包封结构件的第二表面设置限位件;

在步骤S4中,还包括:将所述被动件对应于所述限位件贴装于所述包封结构件的第二表面。

5.如权利要求4所述的半导体封装方法,其特征在于,沿厚度方向所述限位件的正投影位于所述引线框的正投影内。

6.一种半导体封装结构,其特征在于,其包括:

包封结构件,包括相对的第一表面和第二表面,所述包封结构件包括引线框和多个芯片以及用于包封所述引线框以及所述多个所述芯片的包封层,所述引线框设有镂空区域,所述镂空区域沿厚度方向贯穿所述引线框,多个所述芯片位于所述镂空区域中,所述包封层填充于所述引线框的镂空区域内,所述芯片的正面和所述引线框的第一面露出于所述第一表面;

再布线结构,所述再布线结构形成于所述包封结构件的第一表面,所述再布线结构与所述芯片的正面以及所述引线框的第一面均电连接;

被动件,所述被动件设置于所述包封结构件的第二表面上,且所述被动件与所述引线框相对所述第一面设置的第二面电连接。

7.如权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,沿厚度方向所述被动件的正投影位于所述引线框的正投影之内;或者,

所述引线框的厚度等于所述芯片的厚度。

8.如权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,所述包封结构件的第二表面设置有限位件,所述被动件对应于所述限位件贴装于所述包封结构件的第二表面。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构,其特征在于,沿厚度方向所述限位件的正投影位于所述引线框的正投影内;

所述限位件的形状为柱形,或者球形,或者环形。

10.如权利要求8所述的半导体封装结构,其特征在于,

所述限位件包括第一限位件,沿厚度方向所述第一限位件位于所述引线框的正投影内,且位于所述被动件的正投影外;

或者,所述限位件包括第一限位件,沿厚度方向所述第一限位件的正投影位于所述引线框的正投影内,所述被动件包括主体和至少一个焊脚,所述焊脚位于所述第一限位件之内;

或者,所述限位件包括沿第一方向设置的第一限位件和第二限位件;沿厚度方向所述第一限位件位于所述引线框的正投影内,且位于所述被动件的正投影外;沿厚度方向所述第二限位件位于所述引线框的正投影内,且位于所述被动件的正投影内;所述被动件包括主体和至少一个焊脚,所述焊脚位于所述第一限位件和第二限位件之间。

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