[发明专利]电致变色膜系的制备方法及电致变色器件的制备方法

权利要求书

1.一种电致变色膜系的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用气相沉积技术在第一透明保护层上形成第一导电薄膜层，所述第一导电薄膜层的材质为金属氧化物；采用气相沉积技术在所述第一透明保护层上形成第一导电薄膜层的操作为：将真空度抽到设定值，之后升温至170℃～230℃，通入220sccm～300sccm的惰性气体与35sccm～48sccm的氧气，在真空条件下进行溅射沉积，得到第一导电薄膜层，所述第一导电薄膜层的厚度为200nm～280nm，所述第一导电薄膜层的方块电阻值为10Ω/□～12Ω/□；

采用气相沉积技术在所述第一导电薄膜层上形成离子储存层，所述离子储存层的材质为锂合金或者锂金属氧化物；采用气相沉积技术在所述第一导电薄膜层上形成离子储存层的操作为：将真空度抽到设定值，之后升温至370℃～430℃，通入240sccm～370sccm的惰性气体与30sccm～38sccm的氧气，在真空条件下进行溅射沉积，得到离子储存层，所述离子储存层的厚度为200nm～250nm；

采用气相沉积技术在所述离子储存层上形成离子传导输送层，所述离子传导输送层的材质为含锂的聚阴离子化合物；采用气相沉积技术在所述离子储存层上形成离子传导输送层的操作为：将真空度抽到设定值，之后升温至370℃～430℃，通入260sccm～380sccm的惰性气体与30sccm～38sccm的氧气，在真空条件下进行溅射沉积，得到离子传导输送层，所述离子传导输送层的厚度为850nm～1280nm；

采用气相沉积技术在所述离子传导输送层上形成离子变色层，所述离子变色层的材质为金属氧化物；采用气相沉积技术在所述离子传导输送层上形成离子变色层的操作为：将真空度抽到设定值，之后升温至370℃～430℃，通入240sccm～370sccm的惰性气体与30sccm～38sccm的氧气，在真空条件下进行溅射沉积，得到离子变色层，所述离子变色层的厚度为250nm～360nm；

采用气相沉积技术在所述离子变色层上形成离子储色层，所述离子储色层的材质为锂金属氧化物；采用气相沉积技术在所述离子变色层上形成离子储色层的操作为：将真空度抽到设定值，之后升温至370℃～430℃，通入260sccm～380sccm的惰性气体与30sccm～38sccm的氧气，在真空条件下进行溅射沉积，得到离子储色层，所述离子储色层的厚度为250nm～360nm；

采用气相沉积技术在所述离子储色层上形成第二导电薄膜层，所述第二导电薄膜层的材质为金属氧化物；采用气相沉积技术在所述离子储色层上形成第二导电薄膜层的操作为：将真空度抽到设定值，之后升温至170℃～230℃，通入220sccm～300sccm的惰性气体与35sccm～48sccm的氧气，在真空条件下进行溅射沉积，得到第二导电薄膜层，所述第二导电薄膜层的厚度为200nm～280nm，所述第二导电薄膜层的方块电阻值为10Ω/□～12Ω/□；以及

采用气相沉积技术在所述第二导电薄膜层上形成第二透明保护层，得到电致变色膜系；采用气相沉积技术在所述第二导电薄膜层上形成第二透明保护层的操作为：将真空度抽到设定值，之后升温至170℃～230℃，通入220sccm～300sccm的惰性气体与35sccm～48sccm的氧气，在真空条件下进行溅射沉积，得到第二透明保护层，所述第二透明保护层的厚度为50nm～120nm。

2.根据权利要求1所述的电致变色膜系的制备方法，其特征在于，所述第一透明保护层的材质选自氧化铝、氧化锆与氧化硅中的至少一种，所述第一透明保护层的厚度为50nm～120nm。

3.根据权利要求1所述的电致变色膜系的制备方法，其特征在于，所述第一导电薄膜层的材质选自氧化铟锡、氧化锌铝与氧化锡中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的电致变色膜系的制备方法，其特征在于，所述离子储存层的材质选自钛酸锂、钴酸锂、钴镍酸锂、镍酸锂、磷酸铁锂、钴锰酸锂、镍锰酸锂、锡锂合金与硅锂合金中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的电致变色膜系的制备方法，其特征在于，所述离子传导输送层的材质选自钛镧锂氧化物、钛镧铝锂氧化物、锆镧锂氧化物、锆镧铝锂氧化物、氮磷锂氧化物、磷硫锂氧化物、氮磷锂硫化物与氧化铌锂中的至少一种。