[发明专利]一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器在审
| 申请号： | 202010896102.1 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112185441A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 罗鑫;胡少坚;尚恩明 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 磁畴壁钉扎 自旋 转移 力矩 存储器 | ||
1.一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器，其特征在于：自上而下包括钉扎层、势垒层和自由层，在所述钉扎层的顶面、自由层的底面分别设置读操作电极，在所述自由层的左右两端均设置写操作连接区域，所述写操作连接区域具有钉扎效应，用于存储器写操作时的电连接，所述自由层的磁畴壁左右两侧的磁畴方向相反，且位于左端的写操作连接区域与磁畴壁左侧的磁畴方向一致，位于右端的写操作连接区域与磁畴壁右侧的磁畴方向一致。
2.根据权利要求1所述的利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器，其特征在于：所述写操作连接区域暴露在钉扎层、势垒层之外。
3.根据权利要求2所述的利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器，其特征在于：所述钉扎层、势垒层的横截面的长度相同，只有所述写操作连接区域暴露在钉扎层、势垒层之外，或者所述写操作连接区域及部分自由层都暴露在钉扎层、势垒层之外。
4.根据权利要求2所述的利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器，其特征在于：所述写操作连接区域采用与自由层相同的材料制成，但其顶部设置有缺口。
5.根据权利要求1所述的利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器，其特征在于：所述写操作区域采用具有空位结构的磁性材料制成。
6.根据权利要求1所述的利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器，其特征在于：所述写操作连接区域的底部设置缺口。
7.根据权利要求4或6所述的利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器，其特征在于：所述缺口设置为方形、圆形或者锥形。
8.根据权利要求1所述的利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器，其特征在于：所述自由层的磁畴壁左右两侧的磁畴方向分别设置为垂直向下和垂直向上，或者水平向左和水平向右。
9.一种基于权利要求1所述的利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器的读取方法，其特征在于：通过在所述自由层左右两端的写操作连接区域施加不同极性的脉冲电压，向存储器实施写操作；通过在所述钉扎层和自由层的读操作电极施加电压，向存储器实施读操作。
10.根据权利要求9所述的利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器的读取方法，其特征在于：在所述自由层左右两端的写操作连接区域施加正向极性的脉冲电压，向存储器实施二进制数值0的写操作；在所述自由层左右两端的写操作连接区域施加负向极性的脉冲电压，向存储器实施二进制数值1的写操作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010896102.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种PVC箱包中箱壳的全自动注塑装置
- 下一篇：新型高速传输定位装置
