[发明专利]一种用于手性分子探测的微结构

说明书

本发明提供了一种用于手性分子探测的微结构，包括基底、磁性材料层和微结构层，磁性材料层置于基底上，微结构层置于磁性材料层上，微结构层包括周期性排列的微结构单元，微结构单元为非手性结构，微结构单元的材料为贵金属；应用时，在微结构层上涂覆待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射微结构层，通过测量磁光效应实现手性分子探测。由于磁光效应的强度严重地依赖于外加磁场的强度，所以可以通过提高外加磁场的强度，增强不同圆偏振光入射时手性分子导致的反射光差异，从而提高手性分子探测的灵敏度，在手性分子探测灵敏具有良好的应用前景。

技术领域

本发明涉及手性分子探测领域，具体涉及一种用于手性分子探测的微结构。

背景技术

手性分子探测在医药领域非常重要。传统手性分子的手性探测信号弱、灵敏度低。探索基于新原理的手性分子的手性探测方法及装置，不仅能够提高手性探测的信号强度和灵敏度，而且将有力地推动手性光子学的发展。

发明内容

为解决以上问题，本发明提供了一种用于手性分子探测的微结构，包括基底、磁性材料层和微结构层，磁性材料层置于基底上，微结构层置于磁性材料层上，微结构层包括周期性排列的微结构单元，微结构单元为非手性结构，微结构单元的材料为贵金属；应用时，在微结构层上涂覆待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射微结构层，通过测量反射光实现手性分子探测。

更进一步地，微结构单元为圆盘。

更进一步地，还包括支撑部，支撑部设置在微结构单元的底部、磁性材料层上。

更进一步地，支撑部为圆盘，支撑部的半径小于微结构单元的半径。

更进一步地，支撑部设置在微结构单元的中心位置。

更进一步地，支撑部的高度小于40纳米。

更进一步地，支撑部的材料为非磁性材料。

更进一步地，贵金属为金。

更进一步地，基底的材料为非磁性材料。

更进一步地，磁性材料层的材料为钴、铋铁石榴石。

本发明的有益效果：本发明提供了一种用于手性分子探测的微结构，包括基底、磁性材料层和微结构层，磁性材料层置于基底上，微结构层置于磁性材料层上，微结构层包括周期性排列的微结构单元，微结构单元为非手性结构，微结构单元的材料为贵金属；应用时，在微结构层上涂覆待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射微结构层，通过测量反射光实现手性分子探测。由于磁光效应的强度严重地依赖于外加磁场的强度，所以可以通过提高外加磁场的强度，增强不同圆偏振光入射时手性分子导致的反射光差异，从而提高手性分子探测的灵敏度，在手性分子探测灵敏具有良好的应用前景。

以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是一种用于手性分子探测的微结构的示意图。

图2是又一种用于手性分子探测的微结构的示意图。

图中：1、基底；2、磁性材料层；3、微结构单元；4、支撑部。

具体实施方式

为进一步阐述本发明达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及实施例对本发明的具体实施方式、结构特征及其功效，详细说明如下。

实施例1