[发明专利]一种用于手性分子探测的微结构在审
| 申请号: | 202010895763.2 | 申请日: | 2020-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN111982824A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/19 | 分类号: | G01N21/19 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 手性 分子 探测 微结构 | ||
1.一种用于手性分子探测的微结构,其特征在于,包括:基底、磁性材料层和微结构层,所述磁性材料层置于所述基底上,所述微结构层置于所述磁性材料层上,所述微结构层包括周期性排列的微结构单元,所述微结构单元为非手性结构,所述微结构单元的材料为贵金属;应用时,在所述微结构层上涂覆待测手性分子,在外磁场作用下,圆偏振光倾斜照射所述微结构层,通过测量反射光实现手性分子探测。
2.如权利要求1所述的用于手性分子探测的微结构,其特征在于:所述微结构单元为圆盘。
3.如权利要求2所述的用于手性分子探测的微结构,其特征在于:还包括支撑部,所述支撑部设置在所述微结构单元的底部、所述磁性材料层上。
4.如权利要求3所述的用于手性分子探测的微结构,其特征在于:所述支撑部为圆盘,所述支撑部的半径小于所述微结构单元的半径。
5.如权利要求4所述的用于手性分子探测的微结构,其特征在于:所述支撑部设置在所述微结构单元的中心位置。
6.如权利要求5所述的用于手性分子探测的微结构,其特征在于:所述支撑部的高度小于40纳米。
7.如权利要求6所述的用于手性分子探测的微结构,其特征在于:所述支撑部的材料为非磁性材料。
8.如权利要求1-7任一项所述的用于手性分子探测的微结构,其特征在于:所述贵金属为金。
9.如权利要求8所述的用于手性分子探测的微结构,其特征在于:所述基底的材料为非磁性材料。
10.如权利要求9所述的用于手性分子探测的微结构,其特征在于:所述磁性材料层的材料为钴、铋铁石榴石。
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