[发明专利]一种微弱交变磁场探测器

说明书

本发明提供了一种微弱交变磁场探测器，包括：槽体、磁流体、四氧化三铁颗粒，磁流体置于槽体内，磁流体内设有四氧化三铁颗粒；应用时，线偏振光倾斜照射磁流体，在垂直于入射面方向施加外磁场，在待测交变磁场作用下，四氧化三铁颗粒产生热，从而改变磁流体的磁导率，从而改变反射光的强度，通过探测反射光的强度实现交变磁场探测。因为磁流体的磁导率显著地依赖于磁流体的温度，所以在待测交变磁场的作用下，四氧化三铁颗粒产生的热能够显著地改变反射光的强度，因此本发明具有灵敏度高的优点，在微弱交变磁场探测领域具有良好的应用前景。

技术领域

本发明涉及交变磁场探测领域，具体涉及一种微弱交变磁场探测器。

背景技术

随着电子产品的普及，电磁辐射对人体健康的危害日益得到关注，电磁辐射的测量和评估成为研究的热点。现有技术中，不能针对微弱交变磁场进行高灵敏度测量。

发明内容

为解决以上问题，本发明提供了一种微弱交变磁场探测器，包括：槽体、磁流体、四氧化三铁颗粒，磁流体置于槽体内，磁流体内设有四氧化三铁颗粒；应用时，线偏振光倾斜照射磁流体，在垂直于入射面方向施加外磁场，在待测交变磁场作用下，四氧化三铁颗粒产生热，从而改变磁流体的磁导率，从而改变反射光的强度，通过探测反射光的强度实现交变磁场探测。

更进一步地，还包括贵金属部，贵金属部固定在槽体的底部。

更进一步地，贵金属部为圆柱。

更进一步地，圆柱的直径大于40纳米、小于100纳米。

更进一步地，贵金属部的材料为金。

更进一步地，贵金属部周期排布。

更进一步地，还包括反射膜，反射膜置于槽体的底部，贵金属部置于反射膜上。

更进一步地，反射膜的材料为金。

更进一步地，反射膜的厚度大于100纳米。

更进一步地，四氧化三铁颗粒的直径大于100纳米、小于1微米。

本发明的有益效果：本发明提供了一种微弱交变磁场探测器，包括：槽体、磁流体、四氧化三铁颗粒，磁流体置于槽体内，磁流体内设有四氧化三铁颗粒；应用时，线偏振光倾斜照射磁流体，在垂直于入射面方向施加外磁场，在待测交变磁场作用下，四氧化三铁颗粒产生热，从而改变磁流体的磁导率，从而改变反射光的强度，通过探测反射光的强度实现交变磁场探测。因为磁流体的磁导率显著地依赖于磁流体的温度，所以在待测交变磁场的作用下，四氧化三铁颗粒产生的热能够显著地改变反射光的强度，因此本发明具有灵敏度高的优点，在微弱交变磁场探测领域具有良好的应用前景。

以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是一种微弱交变磁场探测器的示意图。

图2是又一种微弱交变磁场探测器的示意图。

图中：1、槽体；2、磁流体；3、四氧化三铁颗粒；4、贵金属部。

具体实施方式

为进一步阐述本发明达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及实施例对本发明的具体实施方式、结构特征及其功效，详细说明如下。

实施例1