[发明专利]一种微弱交变磁场探测器在审
| 申请号: | 202010895741.6 | 申请日: | 2020-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN111983528A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G01R33/032 | 分类号: | G01R33/032 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 微弱 磁场 探测器 | ||
1.一种微弱交变磁场探测器,其特征在于,包括:槽体、磁流体、四氧化三铁颗粒,所述磁流体置于所述槽体内,所述磁流体内设有所述四氧化三铁颗粒;应用时,线偏振光倾斜照射所述磁流体,在垂直于入射面方向施加外磁场,在待测交变磁场作用下,所述四氧化三铁颗粒产生热,从而改变所述磁流体的磁导率,从而改变反射光的强度,通过探测反射光的强度实现交变磁场探测。
2.如权利要求1所述的微弱交变磁场探测器,其特征在于:还包括贵金属部,所述贵金属部固定在所述槽体的底部。
3.如权利要求2所述的微弱交变磁场探测器,其特征在于:所述贵金属部为圆柱。
4.如权利要求3所述的微弱交变磁场探测器,其特征在于:所述圆柱的直径大于40纳米、小于100纳米。
5.如权利要求4所述的微弱交变磁场探测器,其特征在于:所述贵金属部的材料为金。
6.如权利要求5所述的微弱交变磁场探测器,其特征在于:所述贵金属部周期排布。
7.如权利要求2-6任一项所述的微弱交变磁场探测器,其特征在于:还包括反射膜,所述反射膜置于所述槽体的底部,所述贵金属部置于所述反射膜上。
8.如权利要求7所述的微弱交变磁场探测器,其特征在于:所述反射膜的材料为金。
9.如权利要求8所述的微弱交变磁场探测器,其特征在于:所述反射膜的厚度大于100纳米。
10.如权利要求9所述的微弱交变磁场探测器,其特征在于:所述四氧化三铁颗粒的直径大于100纳米、小于1微米。
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