[发明专利]一种存储器制作方法

说明书

本发明实施例提供一种存储器制作方法，包括：提供基底，在基底上形成牺牲层；图形化牺牲层，在基底上形成多个相互分立的伪位线层；形成支撑层，支撑层填充满相邻伪位线层之间的区域；去除伪位线层，形成位于相邻支撑层之间的位线空间；形成位线结构，位线结构填充位线空间，且位线结构包括依次堆叠的位线导电层以及位线绝缘层；去除支撑层，形成位于相邻位线层之间的开口。本发明实施例中提供的存储器制作方法，避免了在刻蚀形成位线结构出现的位线导电层形貌缺陷问题，同时也可避免位线导电层出现过刻蚀的情况，改善位线导电层的受损情况，从而提高位线导电层的导电能力，改善存储器的电学性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种存储器的制作方法。

背景技术

存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件，按存储器的使用类型可分为只读存储器和随机存取存储器。存储器通常包括电容器以及与电容器连接的晶体管，电容器用来存储代表存储信息的电荷，晶体管是控制电容器的电荷流入和释放的开关。位线导电层作为存储器的位线结构的一部分，与位线绝缘层共同作为存储器的位线结构。其中，位线结构的形成方法是依次沉积位线导电层以及位线绝缘层，再将位线导电层以及位线绝缘层刻蚀成相互分立的位线结构。

然而，在刻蚀位线结构时，需要刻蚀的深度较深，刻蚀出来的位线结构侧壁往往会出现不够垂直的情况，位线导电层会出现过刻蚀的情况，导致位线导电层受损，影响位线结构的导电性。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种存储器制作方法，有利于提高位线结构的导电性。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种存储器的制作方法，包括：提供基底，在基底上形成牺牲层；图形化牺牲层，在基底上形成多个相互分立的伪位线层；形成支撑层，支撑层填充满相邻伪位线层之间的区域；去除伪位线层，形成位于相邻支撑层之间的位线空间；形成位线结构，位线结构填充位线空间，且位线结构包括依次堆叠的位线导电层以及位线绝缘层；去除支撑层，形成位于相邻位线结构之间的开口。

另外，形成位线结构的工艺步骤包括：在位线空间形成位线导电层，且位线导电层顶部低于支撑层顶部；在位线导电层顶部形成位线绝缘层，且位线绝缘层暴露出支撑层顶部。

另外，位线导电层包括依次堆叠的位线接触窗以及位线导电柱；形成位线导电层的工艺步骤包括：形成填充满位线空间的第一导电层；回刻蚀去除部分厚度的第一导电层，剩余第一导电层作为位线接触窗；在位线接触窗上形成填充满位线空间的第二导电层；回刻蚀去除部分厚度的第二导电层，剩余第二导电层作为位线导电柱。

另外，采用湿法刻蚀工艺，回刻蚀去除部分厚度的第一导电层。

另外，形成支撑层的工艺步骤包括：在相邻伪位线层之间形成初始支撑层，且初始支撑层还位于伪位线层顶部；对初始支撑层进行平坦化处理，去除高于伪位线层顶部的初始支撑层，形成支撑层；位线导电层包括位线接触窗，且支撑层的材料与位线接触窗的材料相同，形成初始支撑层的工艺温度大于形成位线接触窗的工艺温度。

另外，支撑层与位线接触窗的材料为多晶硅，其中，形成位线接触窗的材料还具有掺杂离子；形成支撑层的工艺温度为580℃～620℃，形成位线接触窗的工艺温度为480℃～520℃。

另外，支撑层的材料与位线绝缘层的材料不同。

另外，在形成支撑层之前，还包括：形成保护层，保护层覆盖伪位线层侧壁，且还位于相邻伪位线层之间的基底上；去除支撑层之后，还包括：去除位于相邻位线结构之间的基底上的保护层。

另外，形成保护层的工艺步骤包括：形成覆盖伪位线层侧壁、相邻伪位线层之间的基底上的第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成氧化硅层；在氧化硅层上形成第二氮化硅层。

另外，牺牲层为单层结构。

与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：