[发明专利]一种存储器制作方法

权利要求书

1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成牺牲层；

图形化所述牺牲层，在所述基底上形成多个相互分立的伪位线层；

形成支撑层，所述支撑层填充满相邻所述伪位线层之间的区域；

去除所述伪位线层，形成位于相邻所述支撑层之间的位线空间；

形成位线结构，所述位线结构填充所述位线空间，且所述位线结构包括依次堆叠的位线导电层以及位线绝缘层；

去除所述支撑层，形成位于相邻所述位线结构之间的开口。

2.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，形成所述位线结构的工艺步骤包括：在所述位线空间形成所述位线导电层，且所述位线导电层顶部低于所述支撑层顶部；在所述位线导电层顶部形成所述位线绝缘层，且所述位线绝缘层暴露出所述支撑层顶部。

3.根据权利要求2所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述位线导电层包括依次堆叠的位线接触窗以及位线导电柱；形成所述位线导电层的工艺步骤包括：形成填充满所述位线空间的第一导电层；回刻蚀去除部分厚度的所述第一导电层，剩余所述第一导电层作为所述位线接触窗；在所述位线接触窗上形成填充满所述位线空间的第二导电层；回刻蚀去除部分厚度的所述第二导电层，剩余所述第二导电层作为所述位线导电柱。

4.根据权利要求3所述的存储器的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，回刻蚀去除部分厚度的所述第一导电层。

5.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，形成所述支撑层的工艺步骤包括：在相邻所述伪位线层之间形成初始支撑层，且所述初始支撑层还位于所述伪位线层顶部；对所述初始支撑层进行平坦化处理，去除高于所述伪位线层顶部的所述初始支撑层，形成所述支撑层；所述位线导电层包括位线接触窗，且所述支撑层的材料与所述位线接触窗的材料相同，形成所述初始支撑层的工艺温度大于形成所述位线接触窗的工艺温度。

6.根据权利要求5所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述支撑层与所述位线接触窗的材料为多晶硅，其中，形成所述位线接触窗的材料还具有掺杂离子；形成所述支撑层的工艺温度为580℃～620℃，形成所述位线接触窗的工艺温度为480℃～520℃。

7.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述支撑层的材料与所述位线绝缘层的材料不同。

8.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在形成所述支撑层之前，还包括：形成保护层，所述保护层覆盖所述伪位线层侧壁，且还位于相邻所述伪位线层之间的所述基底上；去除所述支撑层之后，还包括：去除位于相邻所述位线结构之间的所述基底上的所述保护层。

9.根据权利要求8所述的存储器的制作方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺步骤包括：形成覆盖所述伪位线层侧壁、相邻所述伪位线层之间的所述基底上的第一氮化硅层；在所述第一氮化硅层上形成氧化硅层；在所述氧化硅层上形成第二氮化硅层。

10.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述牺牲层为单层结构。