[发明专利]用于光刻工艺的定位方法及定位标识

说明书

本发明实施例公开了一种用于光刻工艺的定位方法及定位标识，所述方法包括：获取第一光罩制程形成的第一定位标识，第一定位标识包括相互平行的第一侧边和第二侧边；获取第二光罩制程形成的第二定位标识，第二定位标识包括第三侧边和第四侧边，第三侧边和第一侧边平行，第四侧边和第二侧边相交的角度小于45度；根据第四侧边和第二侧边的相交角度和相交位置确定第三侧边和第一侧边之间的偏差。本发明通过比对第一定位标识和第二定位标识，利用两层定位标识的相交关系放大光刻图形在一个方向上的偏移量，解决了由于人眼极限和设备对准精度局限导致不能精准对半导体器件进行定位的技术问题，实现了智能提高光刻定位精度的技术效果。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术，尤其涉及一种用于光刻工艺的定位方法及定位标识。

背景技术

光刻工艺是指一种通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。光刻工艺首先是在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求尺寸的图形，其次是在晶圆表面正确定位图形。因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶圆表面层层叠加建立起来的，如果每次的定位不够精准，将会导致整个电路失效。因此如何更好的进行定位和校准成为了光刻工艺中的重点研究项目。

目前采用的光刻工艺定位方法多为通过光刻设备中显微成像系统，将掩膜版图形与晶圆上的图形传输到显示系统中，然后由人工手动对准或设备自动对准来实现，由于人眼极限和设备对准精度局限，人工手动对准和设备自动对准都存在不能精准对半导体器件进行定位的技术问题。

发明内容

本发明提供一种用于光刻工艺的定位方法及定位标识，以实现智能化提高光刻定位精度以及提高半导体成品精度和质量。

第一方面，本发明实施例提供了一种用于光刻工艺的定位方法，包括：

获取第一光罩制程形成的第一定位标识，所述第一定位标识包括相互平行的第一侧边和第二侧边；

获取第二光罩制程形成的第二定位标识，所述第二定位标识包括第三侧边和第四侧边，所述第三侧边和第一侧边平行，所述第四侧边和第二侧边相交的角度小于45度；

根据所述第四侧边和所述第二侧边的相交角度和相交位置确定所述第三侧边和所述第一侧边之间的偏差。

可选的，所述根据所述第四侧边和所述第二侧边的相交角度和相交位置确定所述第三侧边和所述第一侧边之间的偏差包括：

基于预设平面坐标系确定所述第四侧边和所述第二侧边的相交角度和相交位置，所述预设平面坐标系为以第一侧边为一坐标轴、以垂直所述第一侧边的方向为另一坐标轴、以所述第一侧边的端点为原点的二维坐标系；

根据所述第四侧边和所述第二侧边的相交角度和相交位置确定所述第四侧边与所述第二侧边的相交位置沿平行于所述第一侧边方向的间距；

根据所述间距确定所述第三侧边和所述第一侧边之间的偏差。

可选的，所述第一定位标识包括十字定位识别图形或相邻侧边相互垂直的对称多边形定位识别图形，所述第二定位标识包括侧边带有坡度的对称多边形定位识别图形。

可选的，所述第一定位标识和第二定位标识的图形形状不同，所述第一定位标识的第二侧边沿第一侧边方向上的长度小于等于所述第二定位标识的第四侧边沿第一侧边方向上的长度。

可选的，所述第一定位标识位于底层金属板上或覆盖于底层金属板的底层掩膜版上，所述第二定位标识位于所述底层金属板上或与底层掩膜版相邻的覆盖于所述底层金属板的顶层掩膜版上。

可选的，所述第一定位标识和第二定位标识通过光刻蚀、电子束或腐蚀溶剂方式分别形成于相邻的底层掩膜版和顶层掩膜版上，所述掩膜版用于在覆盖于基板的金属层表面形成对应的光刻图形。

可选的，所述底层掩膜版与所述顶层掩膜版的曝光窗口长度不同。